IRF8113. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IRF8113
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 8.9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0056 Ohm
Тип корпуса: SO8
Аналог (замена) для IRF8113
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRF8113 даташит
irf8113pbf.pdf
PD - 95138B IRF8113PbF HEXFET Power MOSFET Applications VDSS RDS(on) max Qg Typ. l Synchronous MOSFET for Notebook 5.6m @VGS = 10V 30V 24nC Processor Power l Synchronous Rectifier MOSFET for Isolated DC-DC Converters in Networking Systems A A 1 8 S D 2 7 Benefits S D l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS 3 6 S D l Low Gate Charge 4 5 G D l Fully Characterized Avalanche Voltag
irf8113.pdf
PD - 94637A IRF8113 HEXFET Power MOSFET Applications VDSS RDS(on) max Qg Typ. l Synchronous MOSFET for Notebook 5.6m @VGS = 10V 30V 24nC Processor Power l Synchronous Rectifier MOSFET for Isolated DC-DC Converters in Networking A A 1 8 Systems S D Benefits 2 7 S D l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS 3 6 S D l Low Gate Charge 4 5 G D l Fully Characterized Avalanche Voltage
irf8113pbf-1.pdf
IRF8113PbF-1 HEXFET Power MOSFET A VDS 30 V A 1 8 S D RDS(on) max 5.6 2 7 S D (@V = 10V) GS m 3 6 RDS(on) max S D 6.8 (@V = 4.5V) GS 4 5 G D Qg (typical) 24 nC SO-8 ID Top View 17.2 A (@T = 25 C) A Features Benefits Industry-standard pinout SO-8 Package Multi-Vendor Compatibility Compatible with Existing Surface Mount Techniques Easier Manufacturing RoH
irf8113gpbf.pdf
PD - 96251 IRF8113GPbF HEXFET Power MOSFET Applications VDSS RDS(on) max Qg Typ. l Synchronous MOSFET for Notebook 5.6m @VGS = 10V 30V 24nC Processor Power l Synchronous Rectifier MOSFET for Isolated DC-DC Converters in Networking Systems A A 1 8 l Lead-Free S D 2 7 l Halogen-Free S D 3 6 S D Benefits 4 5 G D l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS l Low Gate Charge SO-8 Top
Другие MOSFET... IRF7842 , IRF7853 , IRF7854 , IRF7855 , IRF7862 , IRF8010 , IRF8010L , IRF8010S , AON7506 , IRF8113G , IRF8252 , IRF8302M , IRF8304M , IRF8306M , IRF8308M , IRF8327S , IRF8707 .
History: 2SK4059TV
History: 2SK4059TV
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
d2390 transistor | 2n5087 equivalent | tip147 datasheet | 2n4124 | mj15022 | toshiba c5198 | irf520n datasheet | tip107




