IRFB3607 datasheet, аналоги, параметры транзистора

IRFB3607 datasheet, аналоги, основные параметры

IRFB3607 - это N-канальный MOSFET, созданный специально для схем, где нужно коммутировать очень большие токи при относительно невысоком напряжении (например, в автомобильной электронике или мощных DC-DC преобразователях).

Ключевые характеристики:

Напряжение: Максимальное напряжение сток-исток - 75В.
Главный козырь: Очень низкое сопротивление во включённом состоянии (Rds(on)). Это означает минимальные потери и нагрев при протекании больших токов.
Корпус: Классический TO220 для удобного монтажа и установки на радиатор.

Где применяется:

Силовые DC-DC преобразователи (понижающие, повышающие).
Драйверы мощных моторов (например, в электромобилях, станках).
Блоки питания высокой мощности.
Автомобильная электроника (управление нагрузками, преобразователи).

Преимущества (+):

Сверхнизкое сопротивление - высокая эффективность.
Способность выдерживать очень большой непрерывный ток.
Высокая скорость переключения.
Хорошая термическая стабильность (при наличии радиатора).

Недостатки и особенности (-):

Большой заряд затвора (gate charge) - для быстрого переключения нужен мощный драйвер, способный отдать большой импульсный ток.
Чувствительность к статическому электричеству (ESD) - требует аккуратного обращения.
Напряжение 75В - этого достаточно для многих низковольтных систем, но маловато для работы непосредственно с высоковольтными сетями.

Советы по применению и ремонту:

Драйвер затвора должен быть мощным. Убедитесь, что драйвер может обеспечить достаточный ток для быстрой зарядки/разрядки большой ёмкости затвора.
Радиатор обязателен! Даже с низким Rds(on) при токах в десятки ампер выделяется много тепла.
Используйте гасящий резистор на затворе (обычно 10-100 Ом) для подавления паразитных колебаний и ВЧ-помех.
При диагностике неисправностей в первую очередь проверяйте на короткое замыкание между выводами (сток-исток, затвор-исток).

Наименование производителя: IRFB3607 📄📄

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для IRFB3607

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

IRFB3607 даташит

..1. Size:321K international rectifier
irfb3607pbf irfs3607pbf irfsl3607pbf.pdf pdf_icon

PD - 97308C IRFB3607PbF IRFS3607PbF Applications IRFSL3607PbF l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS HEXFET Power MOSFET l Uninterruptible Power Supply D l High Speed Power Switching VDSS 75V l Hard Switched and High Frequency Circuits RDS(on) typ. 7.34m G max. 9.0m Benefits ID 80A S l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness l Fully Characteriz

..2. Size:880K cn minos
irfb3607.pdf pdf_icon

80V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION The IRFB3607 uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge. It can be used DS(ON) ina wide variety of applications. KEY CHARACTERISTICS V = 80V,I = 90A DS D R

..3. Size:261K inchange semiconductor
irfb3607.pdf pdf_icon

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor IRFB3607 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 9.0m Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION reliable device for use in a wide variety of applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =

0.1. Size:288K international rectifier
irfb3607gpbf.pdf pdf_icon

PD - 96329 IRFB3607GPbF Applications l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS HEXFET Power MOSFET l Uninterruptible Power Supply D l High Speed Power Switching VDSS 75V l Hard Switched and High Frequency Circuits RDS(on) typ. 7.34m G max. 9.0m Benefits ID 80A S l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness D l Fully Characterized Capacitance and Aval