Справочник MOSFET. IRFB3607G

 

IRFB3607G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRFB3607G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 56 nC
   trⓘ - Время нарастания: 110 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB

 Аналог (замена) для IRFB3607G

 

 

IRFB3607G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:288K  international rectifier
 irfb3607gpbf.pdf

IRFB3607G IRFB3607G

PD - 96329IRFB3607GPbFApplicationsl High Efficiency Synchronous Rectification inSMPSHEXFET Power MOSFETl Uninterruptible Power SupplyDl High Speed Power Switching VDSS 75Vl Hard Switched and High Frequency CircuitsRDS(on) typ.7.34mG max. 9.0mBenefitsID 80ASl Improved Gate, Avalanche and Dynamicdv/dt RuggednessDl Fully Characterized Capacitance andAval

 6.1. Size:321K  international rectifier
 irfb3607pbf irfs3607pbf irfsl3607pbf.pdf

IRFB3607G IRFB3607G

PD - 97308CIRFB3607PbFIRFS3607PbFApplicationsIRFSL3607PbFl High Efficiency Synchronous Rectification inSMPSHEXFET Power MOSFETl Uninterruptible Power SupplyDl High Speed Power Switching VDSS 75Vl Hard Switched and High Frequency CircuitsRDS(on) typ.7.34mG max. 9.0mBenefitsID 80ASl Improved Gate, Avalanche and Dynamicdv/dt Ruggednessl Fully Characteriz

 6.2. Size:321K  infineon
 irfb3607pbf irfs3607pbf irfsl3607pbf.pdf

IRFB3607G IRFB3607G

PD - 97308CIRFB3607PbFIRFS3607PbFApplicationsIRFSL3607PbFl High Efficiency Synchronous Rectification inSMPSHEXFET Power MOSFETl Uninterruptible Power SupplyDl High Speed Power Switching VDSS 75Vl Hard Switched and High Frequency CircuitsRDS(on) typ.7.34mG max. 9.0mBenefitsID 80ASl Improved Gate, Avalanche and Dynamicdv/dt Ruggednessl Fully Characteriz

 6.3. Size:261K  inchange semiconductor
 irfb3607.pdf

IRFB3607G IRFB3607G

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRFB3607FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 9.0mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 

Back to Top