IRFB4115 datasheet, аналоги, параметры транзистора

IRFB4115 datasheet, аналоги, основные параметры

IRFB4115 - это современный N-канальный MOSFET, созданный для схем, где на первое место выходят высокий КПД и минимальные потери. Он сочетает в себе высокое напряжение, огромный ток и очень низкое сопротивление.

Основные характеристики:

Сопротивление: Чрезвычайно низкое, примерно 11 мОм (0.011 Ома) в открытом состоянии.
Напряжение: Максимальное напряжение сток-исток 150 В.
Ток: Непрерывный ток стока достигает 104 А (при температуре 25°C).
Корпус: Выполнен в корпусе TO220 для установки на радиатор.

Где он применяется:

Высокомощные DC-DC преобразователи (повышающие, понижающие).
Точные и мощные контроллеры двигателей.
Силовые инверторы.
Другие схемы с широтно-импульсной модуляцией (PWM), где важна эффективность.

Главные достоинства:

Оптимальный баланс характеристик: высокое напряжение, большой ток и рекордно низкое сопротивление.
Высокая скорость переключения и малый заряд затвора, что снижает динамические потери в системе.
Надежная тепловая производительность корпуса при использовании радиатора.
Прочная конструкция, устойчивая к тяжелым условиям работы.

Что важно учесть при использовании:

Для управления этим транзистором на высоких частотах необходим качественный драйвер, способный быстро заряжать его затвор.
Обязательно используйте достаточно большой радиатор. Несмотря на низкое сопротивление, при токах в десятки ампер рассеиваемая мощность будет значительной.
Указанный максимальный ток (104 А) справедлив только при идеальном охлаждении кристалла. В реальных условиях необходимо делать поправку на нагрев.

Наименование производителя: IRFB4115 📄📄

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 380 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 104 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 73 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 490 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для IRFB4115

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

IRFB4115 даташит

..1. Size:336K international rectifier
irfb4115pbf.pdf pdf_icon

IRFB4115PbF HEXFET Power MOSFET Applications D VDSS 150V l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS l Uninterruptible Power Supply RDS(on) typ. 9.3m l High Speed Power Switching G max. 11m l Hard Switched and High Frequency Circuits ID (Silicon Limited) 104A S Benefits D l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness l Fully Characterized Capacita

..2. Size:245K inchange semiconductor
irfb4115.pdf pdf_icon

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFB4115 IIRFB4115 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 11m Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS Uninterruptible Power Supply ABSOLUTE MAXIMUM

0.1. Size:312K international rectifier
irfb4115gpbf.pdf pdf_icon

PD - 96216 IRFB4115GPbF HEXFET Power MOSFET Applications D VDSS 150V l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS l Uninterruptible Power Supply RDS(on) typ. 9.3m l High Speed Power Switching G max. 11m l Hard Switched and High Frequency Circuits ID (Silicon Limited) 104A S Benefits l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness D l Fully Characterize

0.2. Size:245K inchange semiconductor
irfb4115g.pdf pdf_icon

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFB4115G IIRFB4115G FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 11m Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS Uninterruptible Power Supply ABSOLUTE MAXIMU