IRFB4227 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRFB4227
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 330 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 70 nC
trⓘ - Время нарастания: 20 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
Тип корпуса: TO220AB
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
IRFB4227 Datasheet (PDF)
irfb4227pbf.pdf

PD - 97035DIRFB4227PbFFeaturesKey Parametersl Advanced Process TechnologyVDS max 200 Vl Key Parameters Optimized for PDP Sustain, Energy Recovery and Pass Switch ApplicationsVDS (Avalanche) typ. 240 Vl Low EPULSE Rating to Reduce PowermRDS(ON) typ. @ 10V 19.7 Dissipation in PDP Sustain, Energy RecoveryIRP max @ TC= 100C 130 A and Pass Switch ApplicationsTJ max 17
irfb4227.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFB4227IIRFB4227FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 24mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITION175 operating junction temperature and high repetitive peakcurrent capabilityABSOLUTE MAXIMUM
irfb4229pbf.pdf

PD - 97078AIRFB4229PbFFeaturesl Advanced Process TechnologyKey Parametersl Key Parameters Optimized for PDP Sustain,VDS min250 V Energy Recovery and Pass Switch ApplicationsVDS (Avalanche) typ.300 Vl Low EPULSE Rating to Reduce PowerRDS(ON) typ. @ 10V m38 Dissipation in PDP Sustain, Energy RecoveryIRP max @ TC= 100C and Pass Switch Applications 91 Al Low QG f
irfb4228pbf.pdf

PD - 97227AIRFB4228PbFPDP SWITCHFeaturesKey Parametersl Advanced Process TechnologyVDS min150 Vl Key Parameters Optimized for PDP Sustain,VDS (Avalanche) typ.180 V Energy Recovery and Pass Switch ApplicationsRDS(ON) typ. @ 10V ml Low EPULSE Rating to Reduce Power 12 Dissipation in PDP Sustain, Energy RecoveryIRP max @ TC= 100C170 A and Pass Switch Application
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sa979 | 2sc4793 | d965 | mje15031 | irfp150n | mj15025 | mp1620 | kta1381