Справочник MOSFET. IRFH5006

 

IRFH5006 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFH5006
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0041 Ohm
   Тип корпуса: PQFN5X6
 

 Аналог (замена) для IRFH5006

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFH5006 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:263K  international rectifier
 irfh5006pbf.pdf pdf_icon

IRFH5006

IRFH5006PbFHEXFET Power MOSFETVDS 60 VRDS(on) max 4.1 m(@VGS = 10V)Qg (typical) 69 nCRG (typical) 1.2 ID 100 A(@Tmb = 25C)PQFN 5X6 mmApplications Secondary Side Synchronous Rectification Inverters for DC Motors DC-DC Brick Applications Boost ConvertersFeatures and BenefitsBenefitsFeaturesLow RDSon ( 4.1m) Lower Conduction Losses

 0.1. Size:263K  1
 irfh5006trpbf.pdf pdf_icon

IRFH5006

IRFH5006PbFHEXFET Power MOSFETVDS 60 VRDS(on) max 4.1 m(@VGS = 10V)Qg (typical) 69 nCRG (typical) 1.2 ID 100 A(@Tmb = 25C)PQFN 5X6 mmApplications Secondary Side Synchronous Rectification Inverters for DC Motors DC-DC Brick Applications Boost ConvertersFeatures and BenefitsBenefitsFeaturesLow RDSon ( 4.1m) Lower Conduction Losses

 7.1. Size:259K  international rectifier
 irfh5004pbf.pdf pdf_icon

IRFH5006

IRFH5004PbFHEXFET Power MOSFETVDS 40 VRDS(on) max 2.6 m(@VGS = 10V)Qg (typical) 73 nCRG (typical) 1.2 ID 100 A(@Tmb = 25C) PQFN 5X6 mmApplications Secondary Side Synchronous Rectification Inverters for DC Motors DC-DC Brick Applications Boost ConvertersFeatures and BenefitsBenefitsFeaturesLow RDSon ( 2.6m) Lower Conduction LossesL

 7.2. Size:268K  international rectifier
 irfh5007pbf.pdf pdf_icon

IRFH5006

IRFH5007PbFHEXFET Power MOSFETVDS 75 VRDS(on) max 5.9 m(@VGS = 10V)Qg (typical) 65 nCRG (typical) 1.2 ID 100 A(@Tmb = 25C)PQFN 5X6 mmApplications Secondary Side Synchronous Rectification Inverters for DC Motors DC-DC Brick Applications Boost ConvertersFeatures and BenefitsBenefitsFeaturesLow RDSon ( 5.9m) Lower Conduction Losses

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFB61N15D , IRFB812 , IRFBA1404P , IRFBA1405P , IRFBA90N20D , IRFH3702 , IRFH3707 , IRFH5004 , SPP20N60C3 , IRFH5007 , IRFH5010 , IRFH5015 , IRFH5020 , IRFH5025 , IRFH5053 , IRFH5104 , IRFH5106 .

History: CEP6030L | B2N65

 

 
Back to Top

 


 
.