IRFP250N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRFP250N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 214 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 123 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 43 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 315 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
Тип корпуса: TO247AC
Аналог (замена) для IRFP250N
IRFP250N Datasheet (PDF)
irfp250npbf.pdf

PD - 95007AIRFP250NPbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technologyl Dynamic dv/dt RatingDVDSS = 200Vl 175C Operating Temperaturel Fast Switchingl Fully Avalanche RatedRDS(on) = 0.075Gl Ease of Parallelingl Simple Drive RequirementsID = 30Al Lead-Free SDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processingtechni
irfp250n.pdf

PD - 94008IRFP250NHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyDVDSS = 200V Dynamic dv/dt Rating 175C Operating Temperature Fast SwitchingRDS(on) = 0.075G Fully Avalanche Rated Ease of ParallelingID = 30AS Simple Drive RequirementsDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve extreme
irfp250npbf.pdf

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRFP250NPBFFEATURESWith TO-247 packagingWith low gate drive requirementsEasy to drive100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source
irfp250n.pdf

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRFP250NIIRFP250NFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)75mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONFast switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source V
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , 7N65 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ | JMPL0648AU | JMPL0648AK | JMPL0648AG | JMPL0625AP | JMPL0622AK | JMSL0302PU | JMSL0302PG2 | JMSL0302DG | JMSL0302BU | JMSL0302AK | JMSL0301TG | JMSL0301AG | JMSH2010PTL
Popular searches
2n3403 | 2sa750 | tip117 | 2n3643 | 2sc2078 transistor equivalent | 2sc2073 | a608 transistor | c536 transistor