IRFP260N datasheet, аналоги, параметры транзистора

IRFP260N datasheet, аналоги, основные параметры

IRFP260N - это N-канальный MOSFET, созданный для управления очень большими токами при высоком напряжении. Он представляет собой современную и улучшенную версию, обладающую превосходной эффективностью.

Основные параметры:

Сопротивление: Крайне низкое сопротивление открытого канала 0.04 Ома.
Напряжение: Максимальное напряжение сток-исток 200 вольт.
Ток: Непрерывный ток стока достигает 50 ампер.
Корпус: Выполнен в корпусе TO247.

Области применения:

Высокомощные и высокочастотные источники питания.
Промышленные драйверы двигателей и сервоприводов.
Мощные инверторы.

Ключевые преимущества:

Высочайшая эффективность: Сверхнизкое сопротивление RDS(on) гарантирует минимальные потери мощности в проводящем состоянии и, как следствие, малый нагрев.
Большой запас по току: Параметр в 50А делает его одним из лидеров в своем классе для корпуса TO247.
Быстродействие: Высокая скорость переключения снижает потери в динамических режимах, что критично для высокочастотных схем.
Термическая надежность: Конструкция корпуса TO247 обеспечивает отличный теплоотвод, позволяя устройству стабильно работать в самых сложных условиях.

Критически важное требование:

Качественное управление затвором: Для раскрытия всего потенциала транзистора и предотвращения перегрева из-за медленного переключения необходим мощный и быстрый драйвер.
Обязательное использование массивного радиатора. Даже с низким RDS(on) при токах в десятки ампер выделяется значительная тепловая мощность.

Наименование производителя: IRFP260N 📄📄

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 603 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm

Тип корпуса: TO247AC

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для IRFP260N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

IRFP260N даташит

..1. Size:180K international rectifier
irfp260npbf.pdf pdf_icon

PD - 95010A IRFP260NPbF HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology D l Dynamic dv/dt Rating VDSS = 200V l 175 C Operating Temperature l Fast Switching RDS(on) = 0.04 l Fully Avalanche Rated G l Ease of Paralleling ID = 50A l Simple Drive Requirements S l Lead-Free Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techni

..2. Size:122K international rectifier
irfp260n.pdf pdf_icon

PD - 94004A IRFP260N HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D VDSS = 200V Dynamic dv/dt Rating 175 C Operating Temperature Fast Switching RDS(on) = 0.04 G Fully Avalanche Rated Ease of Paralleling ID = 50A S Simple Drive Requirements Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extreme

..3. Size:594K cn minos
irfp260n.pdf pdf_icon

Silicon N-Channel Power MOSFET Description IRFP260N the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. General Features V =200V, R

..4. Size:212K inchange semiconductor
irfp260npbf.pdf pdf_icon

INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor IRFP260NPBF FEATURES With TO-247 packaging Ease of paralleling High speed switching Hard switched and high frequency circuits 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMB