Справочник MOSFET. IRFP3703

 

IRFP3703 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFP3703
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 210 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 123 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3000 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0028 Ohm
   Тип корпуса: TO247AC
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFP3703 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:214K  international rectifier
irfp3703pbf.pdfpdf_icon

IRFP3703

PD - 95481SMPS MOSFETIRFP3703PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max IDl Synchronous Rectification 30V 0.0028 210Al Active ORingl Lead-FreeBenefitsl Ultra Low On-Resistancel Low Gate Impedance to Reduce SwitchingLossesl Fully Avalanche RatedTO-247ACAbsolute Maximum RatingsParameter Max. UnitsID @ TC = 25C Continuous Drain Current, VGS @ 1

 ..2. Size:236K  international rectifier
irfp3703.pdfpdf_icon

IRFP3703

PD - 93917AIRFP3703SMPS MOSFETHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max ID Synchronous Rectification 30V 0.0028 210A Active ORingBenefits Ultra Low On-Resistance Low Gate Impedance to Reduce SwitchingLosses Fully Avalanche RatedTO-247ACAbsolute Maximum RatingsParameter Max. UnitsID @ TC = 25C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 210 ID @ TC = 100

 ..3. Size:241K  inchange semiconductor
irfp3703.pdfpdf_icon

IRFP3703

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFP3703IIRFP3703FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)2.8mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSynchronous RectificationABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 30 V

 8.1. Size:229K  international rectifier
irfp3710pbf.pdfpdf_icon

IRFP3703

PD - 95053AIRFP3710PbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technologyl Dynamic dv/dt RatingDl 175C Operating Temperature VDSS = 100Vl Fast Switchingl Fully Avalanche RatedRDS(on) = 0.025Gl Lead-FreeDescription ID = 57ASFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistance per sili

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SI2308DS | 2SK3430-ZJ | FDD6682 | R6535KNZ1 | CHM83A3NGP | RU1H35R | VSE002N03MS-G

 

 
Back to Top

 


 
.