Справочник MOSFET. IRFS3006

 

IRFS3006 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFS3006
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 270 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 200 nC
   trⓘ - Время нарастания: 182 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1020 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS3006 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:361K  international rectifier
 irfs3006pbf irfsl3006pbf.pdf pdf_icon

IRFS3006

PD - 96188IRFS3006PbFIRFSL3006PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsDVDSS60Vl High Efficiency Synchronous Rectification in SMPSRDS(on) typ.2.0ml Uninterruptible Power Supplyl High Speed Power Switching max. 2.5ml Hard Switched and High Frequency CircuitsGID (Silicon Limited) 270A ID (Package Limited)195A SBenefitsl Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/

 ..2. Size:258K  inchange semiconductor
 irfs3006.pdf pdf_icon

IRFS3006

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFS3006FEATURESWith TO-263( D2PAK ) packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aS

 0.1. Size:308K  international rectifier
 irfs3006-7ppbf.pdf pdf_icon

IRFS3006

PD - 96187IRFS3006-7PPbFHEXFET Power MOSFETApplications DVDSS60Vl High Efficiency Synchronous Rectification in SMPSRDS(on) typ.1.5ml Uninterruptible Power Supply max. 2.1ml High Speed Power SwitchingGl Hard Switched and High Frequency CircuitsID (Silicon Limited)293ASID (Package Limited)240ABenefitsl Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtDRugged

 0.2. Size:667K  infineon
 auirfs3006.pdf pdf_icon

IRFS3006

AUTOMOTIVE GRADE AUIRFS3006 HEXFET Power MOSFET Features VDSS 60V Advanced Process Technology RDS(on) typ. 2.0m Ultra Low On-Resistance max. Dynamic dv/dt Rating 2.5m 175C Operating Temperature ID (Silicon Limited) 270A Fast Switching ID (Package Limited) 195A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free, RoHS Compl

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: 2N65KG-TF3T-T | HGP020NE4S

 

 
Back to Top

 


 
.