Справочник MOSFET. IRFS3307Z

 

IRFS3307Z Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFS3307Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 128 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 64 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0058 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для IRFS3307Z

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS3307Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:316K  international rectifier
 irfb3307zpbf irfs3307zpbf irfs3307ztrlpbf irfsl3307zpbf.pdf pdf_icon

IRFS3307Z

PD - 97214DIRFB3307ZPbFIRFS3307ZPbFApplicationsIRFSL3307ZPbFl High Efficiency Synchronous Rectification inSMPSHEXFET Power MOSFETl Uninterruptible Power Supplyl High Speed Power Switching D VDSS75Vl Hard Switched and High Frequency CircuitsRDS(on) typ.4.6m max. 5.8mGID (Silicon Limited)128ABenefitsID (Package Limited)120ASl Improved Gate, Av

 ..2. Size:316K  international rectifier
 irfb3307zpbf irfs3307zpbf irfsl3307zpbf.pdf pdf_icon

IRFS3307Z

PD - 97214DIRFB3307ZPbFIRFS3307ZPbFApplicationsIRFSL3307ZPbFl High Efficiency Synchronous Rectification inSMPSHEXFET Power MOSFETl Uninterruptible Power Supplyl High Speed Power Switching D VDSS75Vl Hard Switched and High Frequency CircuitsRDS(on) typ.4.6m max. 5.8mGID (Silicon Limited)128ABenefitsID (Package Limited)120ASl Improved Gate, Av

 0.1. Size:707K  infineon
 auirfs3307z auirfsl3307z.pdf pdf_icon

IRFS3307Z

AUIRFS3307Z AUTOMOTIVE GRADE AUIRFSL3307Z HEXFET Power MOSFET Features VDSS 75V Advanced Process Technology RDS(on) typ. 4.6m Ultra Low On-Resistance max. 5.8m 175C Operating Temperature Fast Switching ID (Silicon Limited) 128A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Package Limited) 120A Lead-Free, RoHS Compliant

 0.2. Size:214K  inchange semiconductor
 irfs3307ztrl.pdf pdf_icon

IRFS3307Z

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFS3307ZTRLDESCRIPTIONDrain Current I =120A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 75V(Min)DSS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower switching applicationHard switched and high frequency circuitsUninterruptible power supplyABSOLUTE MAXIMUM R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFS3107 , IRFS3107-7P , IRFS31N20D , IRFS3206 , IRFS3207 , IRFS3207Z , IRFS3306 , IRFS3307 , IRF520 , IRFS33N15D , IRFS3507 , IRFS3607 , IRFS3806 , IRFS38N20D , IRFS4010 , IRFS4010-7P , IRFS4115 .

History: WFF8N65L | IPD400N06N | 2SK2434 | HM4410B | GSM4535W | IPD60R280P7 | SM1A23NSV

 

 
Back to Top

 


 
.