Справочник MOSFET. IRFS4229

 

IRFS4229 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFS4229
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 330 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 72 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 390 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.048 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для IRFS4229

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS4229 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:310K  international rectifier
irfs4229pbf.pdfpdf_icon

IRFS4229

PD - 97080BIRFS4229PbFPDP SWITCHFeaturesKey Parametersl Advanced Process TechnologyVDS min250 Vl Key Parameters Optimized for PDP Sustain, Energy Recovery and Pass Switch ApplicationsVDS (Avalanche) typ.300 Vl Low EPULSE Rating to Reduce PowerRDS(ON) typ. @ 10V m42 Dissipation in PDP Sustain, Energy RecoveryIRP max @ TC= 100C91 A and Pass Switch Application

 ..2. Size:257K  inchange semiconductor
irfs4229.pdfpdf_icon

IRFS4229

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRFS4229FEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Volt

 0.1. Size:257K  inchange semiconductor
irfs4229(2).pdfpdf_icon

IRFS4229

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRFS4229FEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Volt

 7.1. Size:371K  international rectifier
irfs4228pbf irfsl4228pbf.pdfpdf_icon

IRFS4229

PD - 97231AIRFS4228PbFPDP SWITCHIRFSL4228PbFFeaturesl Advanced Process Technology Key Parametersl Key Parameters Optimized for PDP VDS min150 V Sustain, Energy Recovery and PassVDS (Avalanche) typ.180 V Switch ApplicationsRDS(ON) typ. @ 10V m12l Low EPULSE Rating to Reduce PowerIRP max @ TC= 100C170 A Dissipation in PDP Sustain, EnergyTJ max175 C Reco

Другие MOSFET... IRFS38N20D , IRFS4010 , IRFS4010-7P , IRFS4115 , IRFS4115-7P , IRFS4127 , IRFS41N15D , IRFS4227 , IRF9640 , IRFS4310 , IRFS4310Z , IRFS4321 , IRFS4410 , IRFS4410Z , IRFS4610 , IRFS4615 , IRFS4620 .

History: IPD25CN10N

 

 
Back to Top

 


 
.