IRFS4229 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRFS4229
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 330 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 72 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 390 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.048 Ohm
Тип корпуса: D2PAK
Аналог (замена) для IRFS4229
IRFS4229 Datasheet (PDF)
irfs4229pbf.pdf

PD - 97080BIRFS4229PbFPDP SWITCHFeaturesKey Parametersl Advanced Process TechnologyVDS min250 Vl Key Parameters Optimized for PDP Sustain, Energy Recovery and Pass Switch ApplicationsVDS (Avalanche) typ.300 Vl Low EPULSE Rating to Reduce PowerRDS(ON) typ. @ 10V m42 Dissipation in PDP Sustain, Energy RecoveryIRP max @ TC= 100C91 A and Pass Switch Application
irfs4229.pdf

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRFS4229FEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Volt
irfs4229(2).pdf

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRFS4229FEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Volt
irfs4228pbf irfsl4228pbf.pdf

PD - 97231AIRFS4228PbFPDP SWITCHIRFSL4228PbFFeaturesl Advanced Process Technology Key Parametersl Key Parameters Optimized for PDP VDS min150 V Sustain, Energy Recovery and PassVDS (Avalanche) typ.180 V Switch ApplicationsRDS(ON) typ. @ 10V m12l Low EPULSE Rating to Reduce PowerIRP max @ TC= 100C170 A Dissipation in PDP Sustain, EnergyTJ max175 C Reco
Другие MOSFET... IRFS38N20D , IRFS4010 , IRFS4010-7P , IRFS4115 , IRFS4115-7P , IRFS4127 , IRFS41N15D , IRFS4227 , IRF9640 , IRFS4310 , IRFS4310Z , IRFS4321 , IRFS4410 , IRFS4410Z , IRFS4610 , IRFS4615 , IRFS4620 .
History: IPD25CN10N
History: IPD25CN10N



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
bc108 equivalent | irfp4568 | mj15004 | ksc2073 | nte102a | tip31cg | s9015 transistor | irf540z