Справочник MOSFET. IRFSL3306

 

IRFSL3306 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRFSL3306
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 76 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm
   Тип корпуса: TO262

 Аналог (замена) для IRFSL3306

 

 

IRFSL3306 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:323K  international rectifier
irfb3306pbf irfs3306pbf irfsl3306pbf.pdf

IRFSL3306
IRFSL3306

IRFB3306PbFIRFS3306PbFIRFSL3306PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsDl High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS VDSS60Vl Uninterruptible Power SupplyRDS(on) typ.3.3ml High Speed Power Switching max. 4.2ml Hard Switched and High Frequency CircuitsGID (Silicon Limited) 160A BenefitsID (Package Limited)120A Sl Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/

 ..2. Size:327K  infineon
irfb3306pbf irfs3306pbf irfsl3306pbf.pdf

IRFSL3306
IRFSL3306

IRFB3306PbFIRFS3306PbFIRFSL3306PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsDl High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS VDSS60Vl Uninterruptible Power SupplyRDS(on) typ.3.3ml High Speed Power Switching max. 4.2ml Hard Switched and High Frequency CircuitsGID (Silicon Limited) 160A BenefitsID (Package Limited)120A Sl Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/

 6.1. Size:316K  international rectifier
irfb3307zpbf irfs3307zpbf irfs3307ztrlpbf irfsl3307zpbf.pdf

IRFSL3306
IRFSL3306

PD - 97214DIRFB3307ZPbFIRFS3307ZPbFApplicationsIRFSL3307ZPbFl High Efficiency Synchronous Rectification inSMPSHEXFET Power MOSFETl Uninterruptible Power Supplyl High Speed Power Switching D VDSS75Vl Hard Switched and High Frequency CircuitsRDS(on) typ.4.6m max. 5.8mGID (Silicon Limited)128ABenefitsID (Package Limited)120ASl Improved Gate, Av

 6.2. Size:707K  infineon
auirfs3307z auirfsl3307z.pdf

IRFSL3306
IRFSL3306

AUIRFS3307Z AUTOMOTIVE GRADE AUIRFSL3307Z HEXFET Power MOSFET Features VDSS 75V Advanced Process Technology RDS(on) typ. 4.6m Ultra Low On-Resistance max. 5.8m 175C Operating Temperature Fast Switching ID (Silicon Limited) 128A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Package Limited) 120A Lead-Free, RoHS Compliant

 6.3. Size:316K  infineon
irfb3307zpbf irfs3307zpbf irfsl3307zpbf.pdf

IRFSL3306
IRFSL3306

PD - 97214DIRFB3307ZPbFIRFS3307ZPbFApplicationsIRFSL3307ZPbFl High Efficiency Synchronous Rectification inSMPSHEXFET Power MOSFETl Uninterruptible Power Supplyl High Speed Power Switching D VDSS75Vl Hard Switched and High Frequency CircuitsRDS(on) typ.4.6m max. 5.8mGID (Silicon Limited)128ABenefitsID (Package Limited)120ASl Improved Gate, Av

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top