IRLR3114Z - аналоги и даташиты транзистора

 

IRLR3114Z - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IRLR3114Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 130 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 140 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 650 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0049 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для IRLR3114Z

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRLR3114Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:315K  international rectifier
 irlu3114zpbf irlr3114zpbf.pdf pdf_icon

IRLR3114Z

PD - 97284AIRLR3114ZPbFIRLU3114ZPbFFeaturesHEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-ResistanceD 175C Operating Temperature Fast SwitchingVDSS = 40V Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Logic LevelGRDS(on) = 4.9mDescriptionThis HEXFET Power MOSFET utilizes the latest Sprocessing techniques to achieve extremely lowon-resistance

 ..2. Size:315K  international rectifier
 irlr3114zpbf irlu3114zpbf.pdf pdf_icon

IRLR3114Z

PD - 97284AIRLR3114ZPbFIRLU3114ZPbFFeaturesHEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-ResistanceD 175C Operating Temperature Fast SwitchingVDSS = 40V Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Logic LevelGRDS(on) = 4.9mDescriptionThis HEXFET Power MOSFET utilizes the latest Sprocessing techniques to achieve extremely lowon-resistance

 ..3. Size:242K  inchange semiconductor
 irlr3114z.pdf pdf_icon

IRLR3114Z

isc N-Channel MOSFET Transistor IRLR3114Z,IIRLR3114ZFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)4.9mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONFast switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 40 VDSSV Gat

 0.1. Size:706K  infineon
 auirlr3114z auirlu3114z.pdf pdf_icon

IRLR3114Z

AUIRLR3114Z AUTOMOTIVE GRADE AUIRLU3114Z Features HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology VDSS 40V Ultra Low On-Resistance Logic Level Gate Drive RDS(on) typ. 4.9m 175C Operating Temperature max. 6.5m Fast Switching ID (Silicon Limited) 130A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Package Limited) 42A L

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRLML6344 , IRLML6346 , IRLP3034 , IRLR024Z , IRLR2905Z , IRLR2908 , IRLR3105 , IRLR3110Z , AON7410 , IRLR3636 , IRLR3705Z , IRLR3714Z , IRLR3715Z , IRLR3715ZC , IRLR3717 , IRLR3802 , IRLR3915 .

 

 
Back to Top

 


 
.