IRLR8103V - описание и поиск аналогов

 

IRLR8103V. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRLR8103V

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 91 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1064 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для IRLR8103V

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRLR8103V даташит

 ..1. Size:209K  international rectifier
irlr8103vpbf.pdfpdf_icon

IRLR8103V

PD - 95093A IRLR8103VPbF N-Channel Application-Specific MOSFETs Ideal for CPU Core DC-DC Converters Low Conduction Losses Low Switching Losses D Minimizes Parallel MOSFETs for high current applications 100% RG Tested Lead-Free G Description This new device employs advanced HEXFET Power MOSFET technology to achieve an unprecedented balance S D-Pak of

 ..2. Size:111K  international rectifier
irlr8103v.pdfpdf_icon

IRLR8103V

PD-94021A IRLR8103V N-Channel Application-Specific MOSFETs Ideal for CPU Core DC-DC Converters Low Conduction Losses D Low Switching Losses Minimizes Parallel MOSFETs for high current applications Description G This new device employs advanced HEXFET Power MOSFET technology to achieve an unprecedented balance of on-resistance and gate charge. The reduced S D-

 ..3. Size:262K  inchange semiconductor
irlr8103v.pdfpdf_icon

IRLR8103V

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRLR8103V FEATURES With To-252(DPAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Volt

 0.1. Size:847K  cn vbsemi
irlr8103vtr.pdfpdf_icon

IRLR8103V

IRLR8103VTR www.VBsemi.tw N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU 0.002 at VGS = 10 V 100 30 72 nC 0.003 at VGS = 4.5 V 90 APPLICATIONS D OR-ing Server TO-252 DC/DC G G D S Top View S N-Channel MOSFET A

Другие MOSFET... IRLR3802 , IRLR3915 , IRLR6225 , IRLR7807Z , IRLR7821 , IRLR7821C , IRLR7833 , IRLR7843 , STP80NF70 , IRLR8113 , IRLR8256 , IRLR8259 , IRLR8721 , IRLR8726 , IRLR8729 , IRLR8743 , IRLS3034 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.