Справочник MOSFET. IRLU3114Z

 

IRLU3114Z Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRLU3114Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 130 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 40 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 140 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 650 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0049 Ohm
   Тип корпуса: IPAK
 

 Аналог (замена) для IRLU3114Z

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRLU3114Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:315K  international rectifier
 irlu3114zpbf irlr3114zpbf.pdf pdf_icon

IRLU3114Z

PD - 97284AIRLR3114ZPbFIRLU3114ZPbFFeaturesHEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-ResistanceD 175C Operating Temperature Fast SwitchingVDSS = 40V Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Logic LevelGRDS(on) = 4.9mDescriptionThis HEXFET Power MOSFET utilizes the latest Sprocessing techniques to achieve extremely lowon-resistance

 ..2. Size:315K  international rectifier
 irlr3114zpbf irlu3114zpbf.pdf pdf_icon

IRLU3114Z

PD - 97284AIRLR3114ZPbFIRLU3114ZPbFFeaturesHEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-ResistanceD 175C Operating Temperature Fast SwitchingVDSS = 40V Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Logic LevelGRDS(on) = 4.9mDescriptionThis HEXFET Power MOSFET utilizes the latest Sprocessing techniques to achieve extremely lowon-resistance

 ..3. Size:261K  inchange semiconductor
 irlu3114z.pdf pdf_icon

IRLU3114Z

isc N-Channel MOSFET Transistor IRLU3114ZFEATURESWith TO-251(IPAK) packagingHigh speed switchingEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplyDC-DC convertersMotor controlSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE U

 0.1. Size:706K  infineon
 auirlr3114z auirlu3114z.pdf pdf_icon

IRLU3114Z

AUIRLR3114Z AUTOMOTIVE GRADE AUIRLU3114Z Features HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology VDSS 40V Ultra Low On-Resistance Logic Level Gate Drive RDS(on) typ. 4.9m 175C Operating Temperature max. 6.5m Fast Switching ID (Silicon Limited) 130A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Package Limited) 42A L

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRLSL3036 , IRLSL4030 , IRLTS6342 , IRLU024Z , IRLU2905Z , IRLU2908 , IRLU3105 , IRLU3110Z , IRF520 , IRLU3636 , IRLU3705Z , IRLU3714Z , IRLU3715Z , IRLU3717 , IRLU3802 , IRLU3915 , IRLU7807Z .

History: NCEP036N10MSL

 

 
Back to Top

 


 
.