Справочник MOSFET. AUIRLR120N

 

AUIRLR120N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AUIRLR120N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 97 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.185 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для AUIRLR120N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AUIRLR120N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:444K  infineon
auirlr120n.pdfpdf_icon

AUIRLR120N

AUTOMOTIVE GRADE AUIRLR120N Features HEXFET Power MOSFET Advanced Planar Technology Logic Level Gate Drive VDSS 100V Low On-Resistance Dynamic dV/dT Rating RDS(on) max. 0.185 175C Operating Temperature Fast Switching Fully Avalanche Rated ID 10A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free, RoHS Compliant D

 8.1. Size:246K  international rectifier
auirlr3410trl.pdfpdf_icon

AUIRLR120N

PD - 97491AUTOMOTIVE GRADEAUIRLR3410Features Advanced Planar TechnologyHEXFET Power MOSFET Low On-Resistance Dynamic dV/dT Rating DV(BR)DSS100V 175C Operating Temperature Fast SwitchingRDS(on) max.105mG Fully Avalanche Rated Repetitive Avalanche Allowed up toID17ASTjmax Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified *DDescriptionSpecifica

 8.2. Size:228K  international rectifier
auirlr3915.pdfpdf_icon

AUIRLR120N

PD - 97743AUTOMOTIVE GRADEAUIRLR3915FeaturesHEXFET Power MOSFETl Advanced Planar Technologyl Logic-Level Gate DriveDV(BR)DSS55Vl Low On-ResistanceRDS(on) typ.12ml 175C Operating Temperaturel Fast Switchingmax 14mGl Fully Avalanche RatedID (Silicon Limited)61Al Repetitive Avalanche AllowedSup to Tjmax ID (Package Limited)30Al Lead-Free, R

 8.3. Size:490K  international rectifier
auirlr024n auirlu024n.pdfpdf_icon

AUIRLR120N

AUIRLR024N AUTOMOTIVE GRADE AUIRLU024N Features HEXFET Power MOSFET Advanced Planar Technology Low On-Resistance VDSS 55V Logic-Level Gate Drive RDS(on) max. 0.065 Dynamic dv/dt Rating 175C Operating Temperature ID 17A Fast Switching Fully Avalanche Rated Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax D Lead-Free, RoHS Com

Другие MOSFET... AUIRLB4030 , AUIRLI2505 , AUIRLL014N , AUIRLL024N , AUIRLL2705 , AUIRLR014N , AUIRLR024N , AUIRLR024Z , 7N65 , AUIRLR2703 , AUIRLR2905 , AUIRLR2905Z , AUIRLR2908 , AUIRLR3105 , AUIRLR3110Z , AUIRLR3114Z , AUIRLR3410 .

History: APT10021JLL | INK0103AU1 | CS27P06

 

 
Back to Top

 


 
.