Справочник MOSFET. IRF7313

 

IRF7313 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF7313
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.029 Ohm
   Тип корпуса: SO8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF7313 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:105K  international rectifier
irf7313.pdfpdf_icon

IRF7313

PD - 9.1480AIRF7313PRELIMINARYHEXFET Power MOSFET Generation V Technology1 8 Ultra Low On-ResistanceS1 D1VDSS = 30V Dual N-Channel MOSFET2 7G1 D1 Surface Mount3 6S2 D2 Fully Avalanche Rated4 5G2 D2RDS(on) = 0.029T op V iewDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely l

 ..2. Size:205K  international rectifier
irf7313pbf.pdfpdf_icon

IRF7313

PD - 95039IRF7313PbFHEXFET Power MOSFETl Generation V Technology1 8l Ultra Low On-ResistanceS1 D1VDSS = 30Vl Dual N-Channel MOSFET2 7G1 D1l Surface Mount3 6S2 D2l Fully Avalanche Rated4 5G2 D2l Lead-FreeRDS(on) = 0.029Top ViewDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextreme

 0.1. Size:298K  1
irf7313q.pdfpdf_icon

IRF7313

PD - 96125IRF7313QPbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technology1 8l Ultra Low On-ResistanceS1 D1VDSS = 30Vl Dual N- Channel MOSFET2 7G1 D1l Surface Mount3 6S2 D2l Available in Tape & Reel4l 150C Operating Temperature 5G2 D2RDS(on) = 0.029l Automotive [Q101] Qualifiedl Lead-FreeTop ViewDescriptionSpecifically designed for Automotive appl

 0.2. Size:218K  international rectifier
irf7313qpbf.pdfpdf_icon

IRF7313

PD - 96125AIRF7313QPbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technologyl Ultra Low On-Resistance1 8l Dual N- Channel MOSFETS1 D1VDSS = 30Vl Surface Mount2 7G1 D1l Available in Tape & Reel3 6S2 D2l 150C Operating Temperaturel Lead-Free 4 5G2 D2RDS(on) = 0.029DescriptionTop ViewThese HEXFET Power MOSFET's in a DualSO-8 package utilize the lastes

Другие MOSFET... IRF6702M2D , IRF7341I , IRF7301 , IRFI4020H-117P , IRFHM8363 , IRL6372 , IRF9910 , IRF7311 , P55NF06 , IRF7752G , IRF7904 , IRF7303Q , IRFH7911 , IRFI4024H-117P , IRF6723M2D , IRFI4019H-117P , IRF8513 .

History: NVTFS002N04C | SI9945BDY

 

 
Back to Top

 


 
.