SSM3J15CT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSM3J15CT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 8.6 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 12 Ohm

Тип корпуса: SOT883 CST3

Аналог (замена) для SSM3J15CT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSM3J15CT даташит

 ..1. Size:159K  toshiba
 ssm3j15ct.pdf pdf_icon

SSM3J15CT

SSM3J15CT TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type SSM3J15CT High-Speed Switching Applications Analog Switch Applications Unit mm Optimum for high-density mounting in small packages Low ON-resistance Ron = 12 (max) (@VGS = -4 V) 0.6 0.05 Ron = 32 (max) (@VGS = -2.5 V) 0.5 0.03 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Sy

 7.1. Size:186K  toshiba
 ssm3j15fs.pdf pdf_icon

SSM3J15CT

SSM3J15FS TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type SSM3J15FS High Speed Switching Applications Analog Switch Applications Unit mm Small package Low ON resistance Ron = 12 (max) (@VGS = -4 V) Ron = 32 (max) (@VGS = -2.5 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol Rating Unit Drain-Source voltage VDS -30 V Gate-Source v

 7.2. Size:226K  toshiba
 ssm3j15fu.pdf pdf_icon

SSM3J15CT

SSM3J15FU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type SSM3J15FU High Speed Switching Applications Analog Switch Applications Unit mm Small package Low ON resistance Ron = 12 (max) (@VGS = -4 V) Ron = 32 (max) (@VGS = -2.5 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol Rating Unit Drain-Source voltage VDS -30 V Gate-Source v

 7.3. Size:184K  toshiba
 ssm3j15te.pdf pdf_icon

SSM3J15CT

SSM3J15TE TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type SSM3J15TE High Speed Switching Applications Analog Switch Applications Unit mm Small package Low ON resistance Ron = 12 (max) (@VGS = -4 V) Ron = 32 (max) (@VGS = -2.5 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol Rating Unit Drain-Source voltage VDS -30 V Gate-Source v

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SSM3J129TU, SSM3J130TU, SSM3J132TU, SSM3J133TU, SSM3J134TU, SSM3J135TU, SSM3J13T, SSM3J14T, K4145, SSM3J15FS, SSM3J15FU, SSM3J15FV, SSM3J15F, SSM3J16CT, SSM3J16FS, SSM3J16FU, SSM3J16FV