Справочник MOSFET. SSM6J501NU

 

SSM6J501NU Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSM6J501NU
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0153 Ohm
   Тип корпуса: UDFN6B
 

 Аналог (замена) для SSM6J501NU

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSM6J501NU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:205K  toshiba
 ssm6j501nu.pdf pdf_icon

SSM6J501NU

SSM6J501NU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type(U-MOS) SSM6J501NU Power Management Switch Applications Unit: mm 1.5V drive Low ON-resistance: RDS(ON) = 43.0 m (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON) = 26.5 m (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 19.0 m (max) (@VGS = -2.5 V) RDS(ON) = 15.3 m (max) (@VGS = -4.5 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C

 7.1. Size:240K  toshiba
 ssm6j507nu.pdf pdf_icon

SSM6J501NU

SSM6J507NUMOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS)SSM6J507NUSSM6J507NUSSM6J507NUSSM6J507NU1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Power Management Switches2. Features2. Features2. Features2. Features(1) 4 V gate drive voltage.(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 20 m (max) (@VGS = -10 V) RDS(ON) = 28 m (max) (@VGS = -4.5

 7.2. Size:237K  toshiba
 ssm6j503nu.pdf pdf_icon

SSM6J501NU

SSM6J503NU TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOS) SSM6J503NU Power Management Switch Applications Unit: mm 1.5V drive Low ON-resistance: RDS(ON)= 89.6 m (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON) = 57.9 m (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 41.7 m (max) (@VGS = -2.5 V) RDS(ON) = 32.4 m (max) (@VGS = -4.5 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C

 7.3. Size:236K  toshiba
 ssm6j502nu.pdf pdf_icon

SSM6J501NU

SSM6J502NU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type(U-MOS) SSM6J502NU Power Management Switch Applications Unit: mm 1.5V drive Low ON-resistance: RDS(ON) = 60.5 m (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON) = 38.4 m (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 28.3 m (max) (@VGS = -2.5 V) RDS(ON) = 23.1 m (max) (@VGS = -4.5 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SSM6J23FE , SSM6J25FE , SSM6J26FE , SSM6J401TU , SSM6J402TU , SSM6J409TU , SSM6J410TU , SSM6J412TU , IRFB31N20D , SSM6J502NU , SSM6J503NU , SSM6J50TU , SSM6J51TU , SSM6J53FE , SSM6K06FU , SSM6K07FU , SSM6K08FU .

History: AFN4412W

 

 
Back to Top

 


 
.