SSM6K406TU. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SSM6K406TU
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
Cossⓘ - Выходная емкость: 143 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
Тип корпуса: UF6
Аналог (замена) для SSM6K406TU
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SSM6K406TU даташит
ssm6k406tu.pdf
SSM6K406TU TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type SSM6K406TU High-Speed Switching Applications 4.5-V drive Unit mm Low ON-resistance Ron = 38.5 m (max) (@VGS = 4.5 V) 2.1 0.1 Ron = 25.0 m (max) (@VGS = 10 V) 1.7 0.1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) 1 6 Characteristics Symbol Rating Unit 2 5 Drain source voltage VDSS 30 V 3 4
ssm6k403tu.pdf
SSM6K403TU TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS MOS SSM6K403TU Power Management Switch Applications UNIT mm High-Speed Switching Applications 2.1 0.1 1.7 0.1 1 6 1.5V drive Low ON-resistance Ron = 66m (max) (@VGS = 1.5V) 2 5 Ron = 43m (max) (@VGS = 1.8V) 3 4 Ron = 32m (max) (@VGS = 2.5V) Ron = 28m (max) (@VGS = 4.0V) Absolute
ssm6k404tu.pdf
SSM6K404TU TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type SSM6K404TU High-Speed Switching Applications Power Management Switch Applications Unit mm 1.5-V drive Low ON-resistance RDS(ON) = 147 m (max) (@VGS = 1.5 V) 2.1 0.1 RDS(ON) = 100 m (max) (@VGS = 1.8 V) 1.7 0.1 RDS(ON) = 70 m (max) (@VGS = 2.5 V) RDS(ON) = 55 m (max) (@VGS =
ssm6k405tu.pdf
SSM6K405TU TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type SSM6K405TU High-Speed Switching Applications Power Management Switch Applications Unit mm 1.5V drive Low ON-resistance Ron = 307 m (max) (@VGS = 1.5V) 2.1 0.1 Ron = 214 m (max) (@VGS = 1.8V) 1.7 0.1 Ron = 164 m (max) (@VGS = 2.5V) Ron = 126 m (max) (@VGS = 4.0V) 1 6 Abso
Другие IGBT... SSM6K25FE, SSM6K30FE, SSM6K31FE, SSM6K32TU, SSM6K34TU, SSM6K403TU, SSM6K404TU, SSM6K405TU, IRFP064N, SSM6K407TU, SSM6K411TU, SSM6L05FU, SSM6L09FU, SSM6L10TU, SSM6L11TU, SSM6L12TU, SSM6L13TU
History: RJK4502DJE | WML10N70C4 | WMO60P02TS | WMJ99N60F2 | AM3435P | AM3455P
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FTF30P35D | FTF25N35DHVT | FTF15N35D | FTE15C35G | FTP02P15G | FTE02P15G | AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1
Popular searches
2n1308 transistor | p609 | bc327-40 | tip125 | a992 transistor | 2sa913 | 2sc711 datasheet | bu4508dx





