Справочник MOSFET. BUK436W-1000B

 

BUK436W-1000B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BUK436W-1000B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm
   Тип корпуса: SOT429
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BUK436W-1000B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:53K  philips
buk436w-1000b 1.pdfpdf_icon

BUK436W-1000B

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor BUK436W-1000B GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic envelope. VDS Drain-source voltage 1000 VThe device is intended for use in ID Drain current (DC) 3.1 ASwitched Mode Power Supplies Ptot Total power dissipation 125 W(S

 6.1. Size:54K  philips
buk436w-200a-b 1.pdfpdf_icon

BUK436W-1000B

Philips Semiconductors Product Specification PowerMOS transistor BUK436W-200A/B GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic envelope. BUK436 -200A -200BThe device is intended for use in VDS Drain-source voltage 200 200 VSwitched Mode Power Supplies ID Drain current (DC) 19 17 A(SMPS),

 6.2. Size:54K  philips
buk436w-800a-b 1.pdfpdf_icon

BUK436W-1000B

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor BUK436W-800A/B GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic envelope. BUK436 -800A -800BThe device is intended for use in VDS Drain-source voltage 800 800 VSwitched Mode Power Supplies ID Drain current (DC) 4 3.5 A(SMPS),

 8.1. Size:236K  inchange semiconductor
buk436-800ab.pdfpdf_icon

BUK436W-1000B

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor BUK436-800A/BDESCRIPTIONDrain Source Voltage-: V =800V(Min)DSSLow RDS(ON)Fast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for Switched Mode Power Supplies (SMPS),motor control,welding, and in general purpose switchingresistance appl

Другие MOSFET... BUK200-50X , BUK203-50X , BUK203-50Y , BUK204-50Y , BUK207-50X , BUK207-50Y , BUK426-1000A , BUK426-1000B , AO3407 , BUK436W-200A , BUK436W-200B , BUK436W-800A , BUK436W-800B , BUK438W-800A , BUK438W-800B , BUK444-800A , BUK444-800B .

History: G2302 | AO4617 | AP65SL600DI | CEP06N7 | HY050N08B | TK10A60D5 | IPB023N04N

 

 
Back to Top

 


 
.