BUK436W-1000B - описание и поиск аналогов

 

BUK436W-1000B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUK436W-1000B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm

Тип корпуса: SOT429

Аналог (замена) для BUK436W-1000B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUK436W-1000B даташит

 ..1. Size:53K  philips
buk436w-1000b 1.pdfpdf_icon

BUK436W-1000B

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor BUK436W-1000B GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT field-effect power transistor in a plastic envelope. VDS Drain-source voltage 1000 V The device is intended for use in ID Drain current (DC) 3.1 A Switched Mode Power Supplies Ptot Total power dissipation 125 W (S

 6.1. Size:54K  philips
buk436w-200a-b 1.pdfpdf_icon

BUK436W-1000B

Philips Semiconductors Product Specification PowerMOS transistor BUK436W-200A/B GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. UNIT field-effect power transistor in a plastic envelope. BUK436 -200A -200B The device is intended for use in VDS Drain-source voltage 200 200 V Switched Mode Power Supplies ID Drain current (DC) 19 17 A (SMPS),

 6.2. Size:54K  philips
buk436w-800a-b 1.pdfpdf_icon

BUK436W-1000B

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor BUK436W-800A/B GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. UNIT field-effect power transistor in a plastic envelope. BUK436 -800A -800B The device is intended for use in VDS Drain-source voltage 800 800 V Switched Mode Power Supplies ID Drain current (DC) 4 3.5 A (SMPS),

 8.1. Size:236K  inchange semiconductor
buk436-800ab.pdfpdf_icon

BUK436W-1000B

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor BUK436-800A/B DESCRIPTION Drain Source Voltage- V =800V(Min) DSS Low R DS(ON) Fast Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for Switched Mode Power Supplies (SMPS), motor control,welding, and in general purpose switching resistance appl

Другие MOSFET... BUK200-50X , BUK203-50X , BUK203-50Y , BUK204-50Y , BUK207-50X , BUK207-50Y , BUK426-1000A , BUK426-1000B , 60N06 , BUK436W-200A , BUK436W-200B , BUK436W-800A , BUK436W-800B , BUK438W-800A , BUK438W-800B , BUK444-800A , BUK444-800B .

History: BUK207-50Y | BUK445-200A | BUK565-100A | BUK104-50L

 

 

 

 

↑ Back to Top
.