TK11A65D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK11A65D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 157 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm

Тип корпуса: TO220SIS

Аналог (замена) для TK11A65D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK11A65D даташит

 ..1. Size:328K  toshiba
 tk11a65d.pdf pdf_icon

TK11A65D

TK11A65D MOSFETs Silicon N-Channel MOS ( -MOS ) TK11A65D TK11A65D TK11A65D TK11A65D 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.54 (typ.) (2) High forward transfer admittance Yfs = 7.5 S (typ.) (3) Low leakage current ID

 7.1. Size:237K  toshiba
 tk11a65w.pdf pdf_icon

TK11A65D

TK11A65W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK11A65W TK11A65W TK11A65W TK11A65W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.33 (typ.) by used to Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) En

 7.2. Size:253K  inchange semiconductor
 tk11a65w.pdf pdf_icon

TK11A65D

INCHANGE Semiconductor iscN-Channel MOSFET Transistor TK11A65W ITK11A65W FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.39 Easy to control Gate switching Enhancement mode Vth = 2.5 to 3.5V (VDS = 10 V, ID=0.45mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators

 8.1. Size:195K  toshiba
 tk11a60d.pdf pdf_icon

TK11A65D

TK11A60D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOS VII) TK11A60D Switching Regulator Applications Unit mm Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 0.54 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 6.0 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 600 V) Enhancement-mode Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... TK10A55D, TK10A60D, TK10S04K3L, TK10X40D, TK11A45D, TK11A50D, TK11A55D, TK11A60D, AON7403, TK12A10K3, TK12A45D, TK12A50D, TK12A53D, TK12A55D, TK12A60D, TK12A60U, TK12A65D