TK18A60V. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK18A60V

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm

Тип корпуса: TO220SIS

Аналог (замена) для TK18A60V

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK18A60V даташит

 ..1. Size:260K  toshiba
 tk18a60v.pdf pdf_icon

TK18A60V

TK18A60V MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK18A60V TK18A60V TK18A60V TK18A60V 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.165 (typ.) by used to Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) E

 9.1. Size:223K  toshiba
 tk18a30d.pdf pdf_icon

TK18A60V

TK18A30D MOSFETs Silicon N-Channel MOS ( -MOS ) TK18A30D TK18A30D TK18A30D TK18A30D 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.1 (typ.) (2) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 300 V) (3) Enhancement mode Vth =

 9.2. Size:198K  toshiba
 tk18a50d.pdf pdf_icon

TK18A60V

TK18A50D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOS ) TK18A50D Switching Regulator Applications Unit mm Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 0.22 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 8.5 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 500 V) Enhancement-mode Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

 9.3. Size:253K  inchange semiconductor
 tk18a30d.pdf pdf_icon

TK18A60V

INCHANGE Semiconductor iscN-Channel MOSFET Transistor TK18A30D ITK18A30D FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.1 (typ.) Enhancement mode Vth = 1.5 to 3.5V (VDS = 10 V, ID=1.0mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... TK15X60U, TK16A45D, TK16A55D, TK16J55D, TK17A65U, TK17J65U, TK18A30D, TK18A50D, IRF4905, TK19A45D, TK19J55D, TK1P90A, TK1Q90A, TK20A25D, TK20A60U, TK20E60U, TK20J50D