Справочник MOSFET. TK40P03M1

 

TK40P03M1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK40P03M1
   Маркировка: K40P03M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 17.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0108 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

TK40P03M1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:241K  toshiba
tk40p03m1.pdfpdf_icon

TK40P03M1

TK40P03M1MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS-H)TK40P03M1TK40P03M1TK40P03M1TK40P03M11. Applications1. Applications1. Applications1. Applications DC-DC Converters Desktop PCs2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Low gate charge: QSW = 5.7 nC (typ.)(3) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 8.3 m (typ.) (VGS = 10

 8.1. Size:235K  toshiba
tk40p04m1.pdfpdf_icon

TK40P03M1

TK40P04M1MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS-H)TK40P04M1TK40P04M1TK40P04M1TK40P04M11. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators Motor Drivers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Low gate charge: QSW = 7.4 nC (typ.)(3) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 8.5 m (t

 8.2. Size:373K  first silicon
ftk40p04d.pdfpdf_icon

TK40P03M1

SEMICONDUCTORFTK40P04DTECHNICAL DATAFTK40P04 P-Channel Power MOSFET AIDESCRIPTION CJThe FTK40P04 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. DIM MILLIMETERSA 6 50 0 2B 5 60 0 2This device is well suited for high current load applications. C 5 20 0 2D 1 50 0 2E 2 70 0 2F 2 30 0 1HH 1 00 MA

 8.3. Size:1425K  cn vbsemi
tk40p04m.pdfpdf_icon

TK40P03M1

TK40P04Mwww.VBsemi.twN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, c Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS TestedRoHS0.0050 at VGS = 10 V 85 COMPLIANT 40 80 nC0.0065 at VGS = 4.5 V 70APPLICATIONS Synchronous Rectification Power SuppliesDTO-252 GG D S SN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RA

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: CI28N120SM | ET8205B | SSW1N50A | SVS70R900MJE3 | 9926 | SIRA04DP

 

 
Back to Top

 


 
.