Справочник MOSFET. TK4A60DA

 

TK4A60DA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK4A60DA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.2 Ohm
   Тип корпуса: TO220SIS
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

TK4A60DA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:199K  toshiba
 tk4a60da.pdf pdf_icon

TK4A60DA

TK4A60DA TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS) TK4A60DA Switching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 1.7 (typ.) High forward transfer admittance: Yfs = 2.2 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 600 V) Enhancement-mode: Vth = 2.4 to 4.4 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

 ..2. Size:253K  inchange semiconductor
 tk4a60da.pdf pdf_icon

TK4A60DA

INCHANGE SemiconductoriscN-Channel MOSFET Transistor TK4A60DAITK4A60DAFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(ON) = 1.7 (typ.)Enhancement mode:Vth = 2.4 to 4.4V (VDS = 10 V, ID=1.0mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATING

 7.1. Size:190K  toshiba
 tk4a60db.pdf pdf_icon

TK4A60DA

TK4A60DB TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS) TK4A60DB Switching Regulator Applications Unit: mm2.7 0.2 10 0.3 3.2 0.2 A Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 1.6 (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 2.2 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 600V) Enhancement mode: Vth

 7.2. Size:188K  toshiba
 tk4a60d.pdf pdf_icon

TK4A60DA

TK4A60D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS) TK4A60D Switching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 1.4 (typ.) High forward transfer admittance: Yfs = 2.5 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 600 V) Enhancement mode: Vth = 2.4 to 4.4 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Ab

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: ME4894 | AP9563GJ | SM7508NSF | 2N4338 | SI1402DH | IRL2203NL | BUK9875-100A

 

 
Back to Top

 


 
.