TK4A60DB. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK4A60DB

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm

Тип корпуса: TO220SIS

Аналог (замена) для TK4A60DB

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK4A60DB даташит

 ..1. Size:190K  toshiba
 tk4a60db.pdf pdf_icon

TK4A60DB

TK4A60DB TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOS ) TK4A60DB Switching Regulator Applications Unit mm 2.7 0.2 10 0.3 3.2 0.2 A Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 1.6 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 2.2 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 600V) Enhancement mode Vth

 ..2. Size:253K  inchange semiconductor
 tk4a60db.pdf pdf_icon

TK4A60DB

INCHANGE Semiconductor iscN-Channel MOSFET Transistor TK4A60DB ITK4A60DB FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 1.7 (typ.) Enhancement mode Vth = 2.4 to 4.4V (VDS = 10 V, ID=1.0mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MAXIMUM RATING

 7.1. Size:188K  toshiba
 tk4a60d.pdf pdf_icon

TK4A60DB

TK4A60D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOS ) TK4A60D Switching Regulator Applications Unit mm Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 1.4 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 2.5 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 600 V) Enhancement mode Vth = 2.4 to 4.4 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Ab

 7.2. Size:199K  toshiba
 tk4a60da.pdf pdf_icon

TK4A60DB

TK4A60DA TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOS ) TK4A60DA Switching Regulator Applications Unit mm Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 1.7 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 2.2 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 600 V) Enhancement-mode Vth = 2.4 to 4.4 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... TK40S10K3Z, TK40X10J1, TK45P03M1, TK4A50D, TK4A53D, TK4A55DA, TK4A55D, TK4A60DA, STP65NF06, TK4A60D, TK4A65DA, TK4P50D, TK4P55DA, TK4P55D, TK4P60DA, TK4P60DB, TK50J30D