Справочник MOSFET. TK9A60D

 

TK9A60D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TK9A60D
   Маркировка: K9A60D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 24 nC
   trⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.83 Ohm
   Тип корпуса: TO220SIS

 Аналог (замена) для TK9A60D

 

 

TK9A60D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:190K  toshiba
 tk9a60d.pdf

TK9A60D TK9A60D

TK9A60D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS) TK9A60D Switching Regulator Applications Unit: mm2.7 0.210 0.3 3.2 0.2 A Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 0.67 (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 4.0 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 600 V) Enhancement mode: Vth =

 ..2. Size:253K  inchange semiconductor
 tk9a60d.pdf

TK9A60D TK9A60D

INCHANGE SemiconductoriscN-Channel MOSFET Transistor TK9A60DITK9A60DFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(ON) = 0.67 (typ.)Enhancement mode:Vth = 2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=1.0mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

 9.1. Size:374K  toshiba
 tk9a65w.pdf

TK9A60D TK9A60D

TK9A65WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK9A65WTK9A65WTK9A65WTK9A65W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.43 (typ.)by using Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) Enhancement

 9.2. Size:253K  inchange semiconductor
 tk9a65w.pdf

TK9A60D TK9A60D

INCHANGE SemiconductoriscN-Channel MOSFET Transistor TK9A65WITK9A65WFEATURESLow drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.43 (typ.)Enhancement mode: Vth = 2.5 to 3.5V (VDS = 10 V, ID=0.35mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top