TK9A60D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK9A60D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.83 Ohm

Тип корпуса: TO220SIS

Аналог (замена) для TK9A60D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK9A60D даташит

 ..1. Size:190K  toshiba
 tk9a60d.pdf pdf_icon

TK9A60D

TK9A60D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOS ) TK9A60D Switching Regulator Applications Unit mm 2.7 0.2 10 0.3 3.2 0.2 A Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 0.67 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 4.0 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 600 V) Enhancement mode Vth =

 ..2. Size:253K  inchange semiconductor
 tk9a60d.pdf pdf_icon

TK9A60D

INCHANGE Semiconductor iscN-Channel MOSFET Transistor TK9A60D ITK9A60D FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.67 (typ.) Enhancement mode Vth = 2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=1.0mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

 9.1. Size:374K  toshiba
 tk9a65w.pdf pdf_icon

TK9A60D

TK9A65W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK9A65W TK9A65W TK9A65W TK9A65W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.43 (typ.) by using Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) Enhancement

 9.2. Size:253K  inchange semiconductor
 tk9a65w.pdf pdf_icon

TK9A60D

INCHANGE Semiconductor iscN-Channel MOSFET Transistor TK9A65W ITK9A65W FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.43 (typ.) Enhancement mode Vth = 2.5 to 3.5V (VDS = 10 V, ID=0.35mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... TK8A50D, TK8A55DA, TK8A60DA, TK8A65D, TK8P25DA, TK8S06K3L, TK9A45D, TK9A55DA, 5N65, TPC6008-H, TPC6009-H, TPC6010-H, TPC6011, TPC6012, TPC6103, TPC6109-H, TPC6110