BUK465-200A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: BUK465-200A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.23 Ohm
Тип корпуса: SOT404
Аналог (замена) для BUK465-200A
BUK465-200A Datasheet (PDF)
buk465-200a 1.pdf
Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor BUK465-200AGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITfield-effect power transistor in a plasticenvelope suitable for surface mount VDS Drain-source voltage 200 Vapplications. ID Drain current (DC) 14 AThe device is intended for use in Ptot Total power dissipation 125
buk465-100a 1.pdf
Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor BUK465-100AGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITfield-effect power transistor in a plasticenvelope suitable for surface mount VDS Drain-source voltage 100 Vapplications. ID Drain current (DC) 26 AThe device is intended for use in Ptot Total power dissipation 125
buk465-60a 1.pdf
Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor BUK465-60AGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITfield-effect power transistor in a plasticenvelope suitable for surface mount VDS Drain-source voltage -60Aapplications. ID Drain current (DC) 60 VThe device is intended for use in Ptot Total power dissipation 41 A
buk465-60h 1.pdf
Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor BUK465-60H GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic envelope suitable for surface VDS Drain-source voltage 60 Vmount applications. ID Drain current (DC) 43 AThe device is intended for use in Ptot Total power dissipation 125
Другие MOSFET... BUK456-100A , BUK456-200A , BUK456-200B , BUK456-800A , BUK456-800B , BUK462-100A , BUK463-100A , BUK465-100A , STP75NF75 , BUK466-200A , BUK473-100A , BUK473-100B , BUK482-100A , BUK543-100A , BUK545-100A , BUK545-100B , BUK552-100A .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918