BUK465-200A - описание и поиск аналогов

 

BUK465-200A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUK465-200A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.23 Ohm

Тип корпуса: SOT404

Аналог (замена) для BUK465-200A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUK465-200A даташит

 ..1. Size:57K  philips
 buk465-200a 1.pdf pdf_icon

BUK465-200A

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor BUK465-200A GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT field-effect power transistor in a plastic envelope suitable for surface mount VDS Drain-source voltage 200 V applications. ID Drain current (DC) 14 A The device is intended for use in Ptot Total power dissipation 125

 7.1. Size:57K  philips
 buk465-100a 1.pdf pdf_icon

BUK465-200A

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor BUK465-100A GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT field-effect power transistor in a plastic envelope suitable for surface mount VDS Drain-source voltage 100 V applications. ID Drain current (DC) 26 A The device is intended for use in Ptot Total power dissipation 125

 7.2. Size:59K  philips
 buk465-60a 1.pdf pdf_icon

BUK465-200A

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor BUK465-60A GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT field-effect power transistor in a plastic envelope suitable for surface mount VDS Drain-source voltage -60A applications. ID Drain current (DC) 60 V The device is intended for use in Ptot Total power dissipation 41 A

 7.3. Size:74K  philips
 buk465-60h 1.pdf pdf_icon

BUK465-200A

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor BUK465-60H GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT field-effect power transistor in a plastic envelope suitable for surface VDS Drain-source voltage 60 V mount applications. ID Drain current (DC) 43 A The device is intended for use in Ptot Total power dissipation 125

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... BUK456-100A , BUK456-200A , BUK456-200B , BUK456-800A , BUK456-800B , BUK462-100A , BUK463-100A , BUK465-100A , 8205A , BUK466-200A , BUK473-100A , BUK473-100B , BUK482-100A , BUK543-100A , BUK545-100A , BUK545-100B , BUK552-100A .

History: BUK456-200A

 

 

 


 
↑ Back to Top
.