Справочник MOSFET. BUK465-200A

 

BUK465-200A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BUK465-200A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.23 Ohm
   Тип корпуса: SOT404
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BUK465-200A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:57K  philips
 buk465-200a 1.pdf pdf_icon

BUK465-200A

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor BUK465-200AGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITfield-effect power transistor in a plasticenvelope suitable for surface mount VDS Drain-source voltage 200 Vapplications. ID Drain current (DC) 14 AThe device is intended for use in Ptot Total power dissipation 125

 7.1. Size:57K  philips
 buk465-100a 1.pdf pdf_icon

BUK465-200A

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor BUK465-100AGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITfield-effect power transistor in a plasticenvelope suitable for surface mount VDS Drain-source voltage 100 Vapplications. ID Drain current (DC) 26 AThe device is intended for use in Ptot Total power dissipation 125

 7.2. Size:59K  philips
 buk465-60a 1.pdf pdf_icon

BUK465-200A

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor BUK465-60AGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITfield-effect power transistor in a plasticenvelope suitable for surface mount VDS Drain-source voltage -60Aapplications. ID Drain current (DC) 60 VThe device is intended for use in Ptot Total power dissipation 41 A

 7.3. Size:74K  philips
 buk465-60h 1.pdf pdf_icon

BUK465-200A

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor BUK465-60H GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic envelope suitable for surface VDS Drain-source voltage 60 Vmount applications. ID Drain current (DC) 43 AThe device is intended for use in Ptot Total power dissipation 125

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... BUK456-100A , BUK456-200A , BUK456-200B , BUK456-800A , BUK456-800B , BUK462-100A , BUK463-100A , BUK465-100A , STP75NF75 , BUK466-200A , BUK473-100A , BUK473-100B , BUK482-100A , BUK543-100A , BUK545-100A , BUK545-100B , BUK552-100A .

History: SGSP239 | FL6L5201 | ASDM3400 | SVF10N80F | CHM4955JGP | F3S90HVX2 | RK3055ETL

 

 
Back to Top

 


 
.