TPCA8A09-H. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TPCA8A09-H

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 51 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0023 Ohm

Тип корпуса: SOP-ADVANCE

Аналог (замена) для TPCA8A09-H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TPCA8A09-H даташит

 ..1. Size:253K  toshiba
 tpca8a09-h.pdf pdf_icon

TPCA8A09-H

TPCA8A09-H MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS -H/Schottky Barrier Diode) TPCA8A09-H TPCA8A09-H TPCA8A09-H TPCA8A09-H 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications High-Efficiency DC-DC Converters Notebook PCs Mobile Handsets 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Built-in a schottky barrier diode Low forward voltage VDSF = -0.6 V

 7.1. Size:214K  toshiba
 tpca8a01-h.pdf pdf_icon

TPCA8A09-H

TPCA8A01-H TOSHIBA Field Effect Transistor with Built-in Schottky Barrier Diode Silicon N-Channel MOS Type (Ultra-High-Speed U-MOS ) TPCA8A01-H High Efficiency DC-DC Converter Applications Unit mm Notebook PC Applications 0.4 0.1 1.27 0.5 0.1 0.05 M A 5 8 Portable Equipment Applications Built-in schottky barrier diode 0.15 0.05 Low forward voltage VDSF = -0.6

 7.2. Size:231K  toshiba
 tpca8a04-h.pdf pdf_icon

TPCA8A09-H

TPCA8A04-H TOSHIBA Field Effect Transistor with Built-in Schottky Barrier Diode Silicon N-Channel MOS Type (U-MOS V-H) TPCA8A04-H High Efficiency DC-DC Converter Applications Notebook PC Applications Unit mm Portable Equipment Applications 1.27 0.4 0.1 0.05 M A 8 5 Built-in a schottky barrier diode Low forward voltage VDSF = -0.6 V (max) 0.15 0.05 High-sp

 7.3. Size:223K  toshiba
 tpca8a05-h.pdf pdf_icon

TPCA8A09-H

TPCA8A05-H TOSHIBA Field Effect Transistor with Built-in Schottky Barrier Diode Silicon N-Channel MOS Type (U-MOS V-H) TPCA8A05-H High Efficiency DC-DC Converter Applications Unit mm Notebook PC Applications 1.27 0.4 0.1 8 0.05 M A Portable Equipment Applications 5 Built-in a schottky barrier diode 0.15 0.05 Low forward voltage V = 0.6 V (max) DSF High

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... TPCA8109, TPCA8120, TPCA8128, TPCA8131, TPCA8A02-H, TPCA8A04-H, TPCA8A05-H, TPCA8A08-H, 5N60, TPCA8A10-H, TPCA8A11-H, TPCC8007, TPCC8008, TPCC8009, TPCC8061-H, TPCC8062-H, TPCC8064-H