Справочник MOSFET. BUK482-100A

 

BUK482-100A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BUK482-100A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для BUK482-100A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUK482-100A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:53K  philips
 buk482-100a 2.pdf pdf_icon

BUK482-100A

Philips Semiconductors Product Specification PowerMOS transistor BUK482-100A GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic envelope suitable for surface VDS Drain-source voltage 100 Vmount applications. ID Drain current (DC) 1.8 AThe device is intended for use in Ptot Total power dissipation 1

 7.1. Size:52K  philips
 buk482-200a 2.pdf pdf_icon

BUK482-100A

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor BUK482-200A GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic envelope suitable for surface VDS Drain-source voltage 200 Vmounting featuring high avalanche ID Drain current (DC) 2.0 Aenergy capability, stable blocking Ptot Total powe

 7.2. Size:60K  philips
 buk482-60a 1.pdf pdf_icon

BUK482-100A

Philips Semiconductors Product Specification PowerMOS transistor BUK482-60A GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic envelope suitable for surface VDS Drain-source voltage 60 Vmount applications. ID Drain current (DC) 2.7 AThe device is intended for use in Ptot Total power dissipation 1.7

 9.1. Size:56K  philips
 buk481-60a 1.pdf pdf_icon

BUK482-100A

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor BUK481-60A GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic envelope suitable for surface VDS Drain-source voltage 60 Vmount applications. ID Drain current (DC) 1.6 AThe device is intended for use in Ptot Total power dissipation 1.5

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... BUK456-800B , BUK462-100A , BUK463-100A , BUK465-100A , BUK465-200A , BUK466-200A , BUK473-100A , BUK473-100B , K3569 , BUK543-100A , BUK545-100A , BUK545-100B , BUK552-100A , BUK552-100B , BUK553-100A , BUK555-100A , BUK555-100B .

History: BF909 | IRFU6215 | APT20M22LVFR | 2N6787

 

 
Back to Top

 


 
.