TPCC8104. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TPCC8104

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 485 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0088 Ohm

Тип корпуса: TSON-ADVANCE

Аналог (замена) для TPCC8104

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TPCC8104 даташит

 ..1. Size:231K  toshiba
 tpcc8104.pdf pdf_icon

TPCC8104

TPCC8104 MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS ) TPCC8104 TPCC8104 TPCC8104 TPCC8104 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Lithium-Ion Secondary Batteries Power Management Switches 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Small footprint due to a small and thin package (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 6.8 m (typ.) (V

 7.1. Size:237K  toshiba
 tpcc8107.pdf pdf_icon

TPCC8104

TPCC8107 MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS ) TPCC8107 TPCC8107 TPCC8107 TPCC8107 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Small, thin package (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 23.5 m (typ.) (VGS = -10 V) (3) Low

 7.2. Size:234K  toshiba
 tpcc8106.pdf pdf_icon

TPCC8104

TPCC8106 MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS ) TPCC8106 TPCC8106 TPCC8106 TPCC8106 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Small, thin package (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 9.5 m (typ.) (VGS = -10 V) (3) Low

 7.3. Size:223K  toshiba
 tpcc8102.pdf pdf_icon

TPCC8104

TPCC8102 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOS ) TPCC8102 Notebook PC Applications Unit mm Portable Equipment Applications Small footprint due to a small and thin package Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 14.5 m (typ.) (VGS = -10 V) Low leakage current IDSS = -10 A (max) (VDS = -30 V) Enhancement mode Vth = -0.8 t

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... TPCC8067-H, TPCC8068-H, TPCC8073, TPCC8074, TPCC8076, TPCC8084, TPCC8093, TPCC8103, IRFZ48N, TPCC8105, TPCC8131, TPCC8A01-H, TPCF8002, TPCF8003, TPCF8004, TPCF8101, TPCF8105