Справочник MOSFET. 2SJ669

 

2SJ669 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SJ669
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.17 Ohm
   Тип корпуса: TPS
 

 Аналог (замена) для 2SJ669

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SJ669 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:209K  toshiba
 2sj669.pdf pdf_icon

2SJ669

2SJ669 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOS III) 2SJ669 Relay Drive, DC/DC Converter and Motor Drive Unit: mmApplications 4-V gate drive Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 0.12 (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 5.0 S (typ.) Low leakage current: IDSS = -100 A (max) (VDS = -60 V) Enhancement mode: Vth = -0.8

 9.1. Size:204K  toshiba
 2sj668.pdf pdf_icon

2SJ669

2SJ668 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOSIII) 2SJ668 Relay Drive, DC/DC Converter and Motor Drive Unit: mmApplications 4 V gate drive Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 0.12 (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 5.0 S (typ.) Low leakage current: IDSS = -100 A (max) (VDS = -60 V) Enhancement mode: Vth = -0.8 t

 9.2. Size:38K  sanyo
 2sj665.pdf pdf_icon

2SJ669

Ordering number : EN8590 2SJ665P-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching Device2SJ665ApplicationsFeatures Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 4V drive. Motor drive, DC / DC converter. Avalanche resistance guarantee.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS --

 9.3. Size:38K  sanyo
 2sj661.pdf pdf_icon

2SJ669

Ordering number : EN8586 2SJ661P-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching Device2SJ661ApplicationsFeatures Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 4V drive. Motor drive, DC / DC converter. Avalanche resistance guarantee.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS --

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 2SJ508 , 2SJ509 , 2SJ512 , 2SJ516 , 2SJ525 , 2SJ618 , 2SJ619 , 2SJ620 , IRFP250 , 2SJ676 , 2SK1119 , 2SK1120 , 2SK1381 , 2SK1382 , 2SK1486 , 2SK1529 , 2SK1530 .

History: HGN028NE6AL | CS7456 | STF13N60M2 | SIHFD014

 

 
Back to Top

 


 
.