BUK563-100A - описание и поиск аналогов

 

BUK563-100A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUK563-100A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm

Тип корпуса: SOT404

Аналог (замена) для BUK563-100A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUK563-100A даташит

 ..1. Size:59K  philips
 buk563-100a 1.pdf pdf_icon

BUK563-100A

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor BUK563-100A Logic level FET GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode logic SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT level field-effect power transistor in a plastic envelope suitable for surface VDS Drain-source voltage 100 V mount applications. ID Drain current (DC) 13 A The device is intended for use in Pt

 7.1. Size:53K  philips
 buk563-60a 1.pdf pdf_icon

BUK563-100A

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor BUK563-60A Logic level FET GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode logic SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT level field-effect power transistor in a plastic envelope suitable for VDS Drain-source voltage 60 V surface mount applications. ID Drain current (DC) 21 A The device is intended for use in Pto

 7.2. Size:72K  philips
 buk563-48c 1.pdf pdf_icon

BUK563-100A

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor BUK563-48C Voltage clamped logic level FET GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA Protected N-channel enhancement SYMBOL PARAMETER MIN. TYP. MAX. UNIT mode logic level field-effect power transistor in a plastic envelope V(CL)DSR Drain-source clamp voltage 40 48 58 V suitable for surface mount ID Drain current (DC) 21 A

 7.3. Size:58K  philips
 buk563-80b 1.pdf pdf_icon

BUK563-100A

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS Transistor BUK563-80B Logic level FET GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT logic level field-effect power transistor in a plastic envelope. VDS Drain-source voltage 80 V The device is intended for use in ID Drain current (DC) 16 A Switched Mode Power Supplies Ptot Total pow

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... BUK545-100A , BUK545-100B , BUK552-100A , BUK552-100B , BUK553-100A , BUK555-100A , BUK555-100B , BUK555-200A , IRFP260 , BUK565-100A , BUK581-100A , BUK582-100A , BUK7506-30 , BUK7508-55 , BUK7510-30 , BUK7514-30 , BUK7514-55 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.