Справочник MOSFET. BUK563-100A

 

BUK563-100A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BUK563-100A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: SOT404
 

 Аналог (замена) для BUK563-100A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUK563-100A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:59K  philips
 buk563-100a 1.pdf pdf_icon

BUK563-100A

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor BUK563-100A Logic level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode logic SYMBOL PARAMETER MAX. UNITlevel field-effect power transistor in aplastic envelope suitable for surface VDS Drain-source voltage 100 Vmount applications. ID Drain current (DC) 13 AThe device is intended for use in Pt

 7.1. Size:53K  philips
 buk563-60a 1.pdf pdf_icon

BUK563-100A

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor BUK563-60A Logic level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode logic SYMBOL PARAMETER MAX. UNITlevel field-effect power transistor ina plastic envelope suitable for VDS Drain-source voltage 60 Vsurface mount applications. ID Drain current (DC) 21 AThe device is intended for use in Pto

 7.2. Size:72K  philips
 buk563-48c 1.pdf pdf_icon

BUK563-100A

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor BUK563-48C Voltage clamped logic level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAProtected N-channel enhancement SYMBOL PARAMETER MIN. TYP. MAX. UNITmode logic level field-effect powertransistor in a plastic envelope V(CL)DSR Drain-source clamp voltage 40 48 58 Vsuitable for surface mount ID Drain current (DC) 21 A

 7.3. Size:58K  philips
 buk563-80b 1.pdf pdf_icon

BUK563-100A

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS Transistor BUK563-80B Logic level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITlogic level field-effect powertransistor in a plastic envelope. VDS Drain-source voltage 80 VThe device is intended for use in ID Drain current (DC) 16 ASwitched Mode Power Supplies Ptot Total pow

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... BUK545-100A , BUK545-100B , BUK552-100A , BUK552-100B , BUK553-100A , BUK555-100A , BUK555-100B , BUK555-200A , 8205A , BUK565-100A , BUK581-100A , BUK582-100A , BUK7506-30 , BUK7508-55 , BUK7510-30 , BUK7514-30 , BUK7514-55 .

History: STM8601 | SSW4N90A

 

 
Back to Top

 


 
.