BUK9506-30 - описание и поиск аналогов

 

BUK9506-30. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUK9506-30

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 187 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: SOT78

Аналог (замена) для BUK9506-30

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUK9506-30 даташит

 ..1. Size:48K  philips
 buk9506-30 1.pdf pdf_icon

BUK9506-30

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor BUK9506-30 Logic level FET GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode logic SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT level field-effect power transistor in a plastic envelope using trench VDS Drain-source voltage 30 V technology. The device features very ID Drain current (DC) 75 A low on-state resist

 6.1. Size:332K  philips
 buk9506-55a.pdf pdf_icon

BUK9506-30

BUK9506-55A; BUK9606-55A; BUK9E06-55A TrenchMOS logic level FET Rev. 03 23 July 2001 Product data 1. Description N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS technology, featuring very low on-state resistance. Product availability BUK9506-55A in SOT78 (TO-220AB); BUK9606-55A in SOT404 (D2-PAK); BUK9E06-55A in SOT226 (I2-PAK).

 6.2. Size:333K  philips
 buk9506-75b buk9606-75b.pdf pdf_icon

BUK9506-30

BUK95/9606-75B TrenchMOS logic level FET Rev. 02 30 September 2002 Product data 1. Product profile 1.1 Description N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using Philips High-Performance Automotive TrenchMOS technology. Product availability BUK9506-75B in SOT78 (TO-220AB) BUK9606-75B in SOT404 (D2-PAK). 1.2 Features Very low on-state r

 7.1. Size:66K  philips
 buk9506 buk9606-55a 2.pdf pdf_icon

BUK9506-30

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor BUK9506-55A Logic level FET BUK9606-55A GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode logic SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT level field-effect power transistor in a plastic envelope available in VDS Drain-source voltage 55 V TO220AB and SOT404 . Using ID Drain current (DC) 75 A trench technolo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... BUK7628-55 , BUK7635-55 , BUK7675-55 , BUK78150-55 , BUK7830-30 , BUK7840-55 , BUK7880-55 , BUK9120-48TC , 18N50 , BUK9508-55 , BUK9510-30 , BUK9514-30 , BUK9514-55 , BUK9518-30 , BUK9518-55 , BUK9520-55 , BUK9524-55 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.