Справочник MOSFET. BUK9506-30

 

BUK9506-30 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: BUK9506-30
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 187 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: SOT78

 Аналог (замена) для BUK9506-30

 

 

BUK9506-30 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:48K  philips
 buk9506-30 1.pdf

BUK9506-30 BUK9506-30

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor BUK9506-30 Logic level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode logic SYMBOL PARAMETER MAX. UNITlevel field-effect power transistor in aplastic envelope using trench VDS Drain-source voltage 30 Vtechnology. The device features very ID Drain current (DC) 75 Alow on-state resist

 6.1. Size:332K  philips
 buk9506-55a.pdf

BUK9506-30 BUK9506-30

BUK9506-55A; BUK9606-55A;BUK9E06-55ATrenchMOS logic level FETRev. 03 23 July 2001 Product data1. DescriptionN-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology, featuring very low on-state resistance.Product availability:BUK9506-55A in SOT78 (TO-220AB); BUK9606-55A in SOT404 (D2-PAK);BUK9E06-55A in SOT226 (I2-PAK).

 6.2. Size:333K  philips
 buk9506-75b buk9606-75b.pdf

BUK9506-30 BUK9506-30

BUK95/9606-75BTrenchMOS logic level FETRev. 02 30 September 2002 Product data1. Product profile1.1 DescriptionN-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package usingPhilips High-Performance Automotive TrenchMOS technology.Product availability:BUK9506-75B in SOT78 (TO-220AB)BUK9606-75B in SOT404 (D2-PAK).1.2 Features Very low on-state r

 7.1. Size:66K  philips
 buk9506 buk9606-55a 2.pdf

BUK9506-30 BUK9506-30

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor BUK9506-55A Logic level FET BUK9606-55AGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode logic SYMBOL PARAMETER MAX. UNITlevel field-effect power transistor in aplastic envelope available in VDS Drain-source voltage 55 VTO220AB and SOT404 . Using ID Drain current (DC) 75 Atrench technolo

Другие MOSFET... BUK7628-55 , BUK7635-55 , BUK7675-55 , BUK78150-55 , BUK7830-30 , BUK7840-55 , BUK7880-55 , BUK9120-48TC , IRFB31N20D , BUK9508-55 , BUK9510-30 , BUK9514-30 , BUK9514-55 , BUK9518-30 , BUK9518-55 , BUK9520-55 , BUK9524-55 .

 

 
Back to Top