Справочник MOSFET. BUK9535-55

 

BUK9535-55 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BUK9535-55
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 85 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: SOT78
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BUK9535-55 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:53K  philips
buk9535-55 2.pdfpdf_icon

BUK9535-55

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor BUK9535-55 Logic level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode logic SYMBOL PARAMETER MAX. UNITlevel field-effect power transistor in aplastic envelope using trench VDS Drain-source voltage 55 Vtechnology. The device features very ID Drain current (DC) 34 Alow on-state resist

 0.1. Size:71K  philips
buk9535-55a buk9635-55a.pdfpdf_icon

BUK9535-55

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor BUK9535-55A Logic level FET BUK9635-55AGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode logic SYMBOL PARAMETER MAX. UNITlevel field-effect power transistor in aplastic envelope available in VDS Drain-source voltage 55 VTO220AB and SOT404 . Using ID Drain current (DC) 34 Atrench technolo

 6.1. Size:337K  philips
buk9535-100a buk9635-100a.pdfpdf_icon

BUK9535-55

BUK9535-100A;BUK9635-100ATrenchMOS logic level FETRev. 01 22 January 2001 Product specification1. DescriptionN-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology, featuring very low on-state resistance.Product availability:BUK9535-100A in SOT78 (TO-220AB)BUK9635-100A in SOT404 (D 2-PAK).2. Features TrenchMOS t

 8.1. Size:325K  philips
buk953r2-40 buk963r2-40b buk9e3r2-40b.pdfpdf_icon

BUK9535-55

BUK95/96/9E3R2-40BTrenchMOS logic level FETRev. 04 14 November 2003 Product data1. Product profile1.1 DescriptionN-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package usingPhilips High-Performance Automotive TrenchMOS technology.1.2 Features Very low on-state resistance Q101 compliant 175 C rated Logic level compatible.1.3 Applications A

Другие MOSFET... BUK9510-30 , BUK9514-30 , BUK9514-55 , BUK9518-30 , BUK9518-55 , BUK9520-55 , BUK9524-55 , BUK9528-55 , AO3401 , BUK9606-30 , BUK9608-55 , BUK9610-30 , BUK9614-30 , BUK9614-55 , BUK9618-30 , BUK9618-55 , BUK9620-55 .

History: ELM57801GA | AO6804A | S10H06RN | RJK1209JPE | WMJ38N60C2 | HGT019N08A | AP9987GH-HF

 

 
Back to Top

 


 
.