Справочник MOSFET. RJK0206DPA

 

RJK0206DPA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RJK0206DPA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 65 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 25 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 70 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Время нарастания (tr): 8.7 ns
   Выходная емкость (Cd): 1600 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0018 Ohm
   Тип корпуса: WPAK

 Аналог (замена) для RJK0206DPA

 

 

RJK0206DPA Datasheet (PDF)

 0.1. Size:79K  renesas
rej03g1923 rjk0206dpads.pdf

RJK0206DPA
RJK0206DPA

Preliminary Datasheet RJK0206DPA Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode REJ03G1923-0200Power Switching Rev.2.00Apr 27, 2010Features High speed switching Capable of 4.5 V gate drive Low drive current High density mounting Low on-resistance RDS(on) = 1.5 m typ. (at VGS = 10 V) Pb-free Halogen-free Outline RENES

 8.1. Size:85K  renesas
r07ds0238ej rjk0202dsp.pdf

RJK0206DPA
RJK0206DPA

Preliminary Datasheet RJK0202DSP R07DS0238EJ0220Silicon N Channel Power MOS FET Rev.2.20Power Switching Jan 05, 2011Features High speed switching Capable of 2.5 V gate drive Low drive current High density mounting Low on-resistance RDS(on) = 5.0 m typ. (at VGS = 4.5 V) Outline RENESAS Package code: PRSP0008DD-D(Package name: SOP-8

 8.2. Size:79K  renesas
rej03g1922 rjk0204dpads.pdf

RJK0206DPA
RJK0206DPA

Preliminary Datasheet RJK0204DPA Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode REJ03G1922-0210Power Switching Rev.2.10Apr 27, 2010Features High speed switching Capable of 4.5 V gate drive Low drive current High density mounting Low on-resistance RDS(on) = 2.2 m typ. (at VGS = 10 V) Pb-free Halogen-free Outline RENES

 8.3. Size:79K  renesas
rej03g1924 rjk0208dpads.pdf

RJK0206DPA
RJK0206DPA

Preliminary Datasheet RJK0208DPA Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode REJ03G1924-0200Power Switching Rev.2.00Apr 27, 2010Features High speed switching Capable of 4.5 V gate drive Low drive current High density mounting Low on-resistance RDS(on) = 1.6 m typ. (at VGS = 10 V) Pb-free Halogen-free Outline RENES

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top