Справочник MOSFET. RJK0223DNS

 

RJK0223DNS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RJK0223DNS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0076 Ohm
   Тип корпуса: HWSON

 Аналог (замена) для RJK0223DNS

 

 

RJK0223DNS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:75K  renesas
 r07ds0126ej rjk0223dns.pdf

RJK0223DNS RJK0223DNS

Preliminary Datasheet RJK0223DNS Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode High Speed Power Switching R07DS0126EJ0030(Previous: REJ03G1952-0020)Rev.0.30Sep 02, 2010Features Low on-resistance Capable of 4.5 V gate drive High density mounting Pb-free Halogen-free Outline RENESAS Package code: PWSN0008JD-A(Package name: HWSON304

 8.1. Size:143K  renesas
 r07ds0259ej rjk0225dns.pdf

RJK0223DNS RJK0223DNS

Preliminary Datasheet RJK0225DNS R07DS0259EJ0110Silicon N Channel Power MOS FET Rev.1.10Power Switching Mar 03, 2011Features Very High speed switching Capable of 4.5 V gate drive Low drive current High density mounting Low on-resistance RDS(on) = 5.9 m typ. (at VGS = 10 V) Pb-free Halogen-free Outline Package name: 8pin HVSON(3333)

 8.2. Size:63K  renesas
 r07ds0125ej rjk0222dns.pdf

RJK0223DNS RJK0223DNS

Preliminary Datasheet RJK0222DNS Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode High Speed Power Switching R07DS0125EJ0030(Previous: REJ03G1951-0020)Rev.0.30Sep 06, 2010Features Low on-resistance Capable of 4.5 V gate drive High density mounting Pb-free Halogen-free Outline RENESAS Package code: PWSN0008JD-A(Package name: HWSON304

 8.3. Size:165K  renesas
 r07ds0260ej rjk0226dns.pdf

RJK0223DNS RJK0223DNS

Preliminary Datasheet RJK0226DNS Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching R07DS0260EJ0110Rev.1.10Mar 03, 2011Features High speed switching Capable of 4.5 V gate drive Low drive current High density mounting Low on-resistance RDS(on) = 2.3 m typ. (at VGS = 8 V) Pb-free Halogen-free Outline Packag

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top