Справочник MOSFET. RJK0225DNS

 

RJK0225DNS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RJK0225DNS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Vgs(off)|ⓘ - Минимальное напряжение отсечки: 1.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 8.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 2.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 545 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0072 Ohm
   Тип корпуса: HVSON

 Аналог (замена) для RJK0225DNS

 

 

RJK0225DNS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:143K  renesas
 r07ds0259ej rjk0225dns.pdf

RJK0225DNS RJK0225DNS

Preliminary Datasheet RJK0225DNS R07DS0259EJ0110Silicon N Channel Power MOS FET Rev.1.10Power Switching Mar 03, 2011Features Very High speed switching Capable of 4.5 V gate drive Low drive current High density mounting Low on-resistance RDS(on) = 5.9 m typ. (at VGS = 10 V) Pb-free Halogen-free Outline Package name: 8pin HVSON(3333)

 8.1. Size:75K  renesas
 r07ds0126ej rjk0223dns.pdf

RJK0225DNS RJK0225DNS

Preliminary Datasheet RJK0223DNS Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode High Speed Power Switching R07DS0126EJ0030(Previous: REJ03G1952-0020)Rev.0.30Sep 02, 2010Features Low on-resistance Capable of 4.5 V gate drive High density mounting Pb-free Halogen-free Outline RENESAS Package code: PWSN0008JD-A(Package name: HWSON304

 8.2. Size:63K  renesas
 r07ds0125ej rjk0222dns.pdf

RJK0225DNS RJK0225DNS

Preliminary Datasheet RJK0222DNS Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode High Speed Power Switching R07DS0125EJ0030(Previous: REJ03G1951-0020)Rev.0.30Sep 06, 2010Features Low on-resistance Capable of 4.5 V gate drive High density mounting Pb-free Halogen-free Outline RENESAS Package code: PWSN0008JD-A(Package name: HWSON304

 8.3. Size:165K  renesas
 r07ds0260ej rjk0226dns.pdf

RJK0225DNS RJK0225DNS

Preliminary Datasheet RJK0226DNS Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching R07DS0260EJ0110Rev.1.10Mar 03, 2011Features High speed switching Capable of 4.5 V gate drive Low drive current High density mounting Low on-resistance RDS(on) = 2.3 m typ. (at VGS = 8 V) Pb-free Halogen-free Outline Packag

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top