RJK5030DPD datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RJK5030DPD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm

Тип корпуса: MP3A

Аналог (замена) для RJK5030DPD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RJK5030DPD даташит

 ..1. Size:68K  renesas
 r07ds0050ej rjk5030dpd.pdf pdf_icon

RJK5030DPD

Preliminary Datasheet RJK5030DPD R07DS0050EJ0200 (Previous REJ03G1913-0100) Silicon N Channel MOS FET Rev.2.00 High Speed Power Switching Jul 22, 2010 Features Low on-state resistance RDS(on) = 1.3 typ. (at ID = 2 A, VGS = 10 V, Ta = 25 C) High speed switching Outline RENESAS Package code PRSS0004ZG-A D (Package name MP-3A) 4 1. Gate 2. Drain G 3.

 5.1. Size:77K  renesas
 r07ds0227ej rjk5030dpp.pdf pdf_icon

RJK5030DPD

Preliminary Datasheet RJK5030DPP-M0 R07DS0227EJ0100 Silicon N Channel MOS FET Rev.1.00 High Speed Power Switching Dec 14, 2010 Features Low on-state resistance RDS(on) = 1.3 typ. (at ID = 2 A, VGS = 10 V, Ta = 25 C) High speed switching Outline RENESAS Package code PRSS0003AF-A (Package name TO-220FL) D 1. Gate 2. Drain G 3. Source 1 2 3 S Absolu

 8.1. Size:94K  renesas
 r07ds0417ej rjk5031dpd.pdf pdf_icon

RJK5030DPD

Preliminary Datasheet RJK5031DPD R07DS0417EJ0100 Silicon N Channel MOS FET Rev.1.00 High Speed Power Switching May 23, 2011 Features Low on-state resistance RDS(on) = 2.4 typ. (at ID = 1.5 A, VGS = 10 V, Ta = 25 C) High speed switching Outline RENESAS Package code PRSS0004ZG-A D (Package name MP-3A) 4 1. Gate 2. Drain G 3. Source 1 2 4. Drain 3 S

 8.2. Size:70K  renesas
 r07ds0179ej rjk5033dpd.pdf pdf_icon

RJK5030DPD

Preliminary Datasheet RJK5033DPD R07DS0179EJ0100 Silicon N Channel MOS FET Rev.1.00 High Speed Power Switching Oct 05, 2010 Features Low on-state resistance RDS(on) = 0.96 typ. (ID = 3 A, VGS = 10 V, Ta = 25 C) High speed switching Outline RENESAS Package code PRSS0004ZG-A D (Package name MP-3A) 4 1. Gate 2. Drain G 3. Source 1 2 4. Drain 3 S

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RJK5013DPK, RJK5014DPK, RJK5015DPK, RJK5015DPM, RJK5018DPK, RJK5020DPK, RJK5026DPE, RJK5026DPP-M0, P60NF06, RJK5030DPP-M0, RJK5031DPD, RJK5033DPD, RJK5033DPP-M0, RJK6002DPD, RJK6002DPE, RJK6006DPD, RJK6011DJE