RJK5030DPD - аналоги и даташиты транзистора

 

RJK5030DPD - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: RJK5030DPD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm
   Тип корпуса: MP3A
 

 Аналог (замена) для RJK5030DPD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RJK5030DPD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:68K  renesas
 r07ds0050ej rjk5030dpd.pdf pdf_icon

RJK5030DPD

Preliminary Datasheet RJK5030DPD R07DS0050EJ0200(Previous: REJ03G1913-0100)Silicon N Channel MOS FET Rev.2.00High Speed Power Switching Jul 22, 2010Features Low on-state resistance RDS(on) = 1.3 typ. (at ID = 2 A, VGS = 10 V, Ta = 25C) High speed switching Outline RENESAS Package code: PRSS0004ZG-AD(Package name : MP-3A)41. Gate2. DrainG3.

 5.1. Size:77K  renesas
 r07ds0227ej rjk5030dpp.pdf pdf_icon

RJK5030DPD

Preliminary Datasheet RJK5030DPP-M0 R07DS0227EJ0100Silicon N Channel MOS FET Rev.1.00High Speed Power Switching Dec 14, 2010Features Low on-state resistance RDS(on) = 1.3 typ. (at ID = 2 A, VGS = 10 V, Ta = 25C) High speed switching Outline RENESAS Package code: PRSS0003AF-A(Package name: TO-220FL)D1. Gate2. DrainG3. Source123SAbsolu

 8.1. Size:94K  renesas
 r07ds0417ej rjk5031dpd.pdf pdf_icon

RJK5030DPD

Preliminary Datasheet RJK5031DPD R07DS0417EJ0100Silicon N Channel MOS FET Rev.1.00High Speed Power Switching May 23, 2011Features Low on-state resistance RDS(on) = 2.4 typ. (at ID = 1.5 A, VGS = 10 V, Ta = 25C) High speed switching Outline RENESAS Package code: PRSS0004ZG-AD(Package name : MP-3A)41. Gate2. DrainG3. Source124. Drain3S

 8.2. Size:70K  renesas
 r07ds0179ej rjk5033dpd.pdf pdf_icon

RJK5030DPD

Preliminary Datasheet RJK5033DPD R07DS0179EJ0100Silicon N Channel MOS FET Rev.1.00High Speed Power Switching Oct 05, 2010Features Low on-state resistance RDS(on) = 0.96 typ. (ID = 3 A, VGS = 10 V, Ta = 25C) High speed switching Outline RENESAS Package code: PRSS0004ZG-AD(Package name : MP-3A)41. Gate2. DrainG3. Source124. Drain3S

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... RJK5013DPK , RJK5014DPK , RJK5015DPK , RJK5015DPM , RJK5018DPK , RJK5020DPK , RJK5026DPE , RJK5026DPP-M0 , AO3401 , RJK5030DPP-M0 , RJK5031DPD , RJK5033DPD , RJK5033DPP-M0 , RJK6002DPD , RJK6002DPE , RJK6006DPD , RJK6011DJE .

History: PSMN2R0-25MLD

 

 
Back to Top

 


 
.