Справочник MOSFET. RQA0010VXDQS

 

RQA0010VXDQS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RQA0010VXDQS
   Маркировка: VX
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 16 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 5 V
   |Vgs(off)|ⓘ - Минимальное напряжение отсечки: 0.35 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 12 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.43 Ohm
   Тип корпуса: UPAK SC62

 Аналог (замена) для RQA0010VXDQS

 

 

RQA0010VXDQS Datasheet (PDF)

 0.1. Size:201K  renesas
 rej03g1692 rqa0010vxdqsds.pdf

RQA0010VXDQS RQA0010VXDQS

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

 7.1. Size:200K  renesas
 rej03g1693 rqa0010uxaqsds.pdf

RQA0010VXDQS RQA0010VXDQS

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

 8.1. Size:219K  renesas
 r07ds0095ej rqa0011dns.pdf

RQA0010VXDQS RQA0010VXDQS

Preliminary Datasheet RQA0011DNS R07DS0095EJ0500Rev.5.00Silicon N-Channel MOS FET Sep 08, 2011Features High output power, High gain, High efficiency Pout = +39.6 dBm, Linear gain = 20 dB, PAE = 68% (f = 520 MHz) Small outline package (WSON0504-2: 5.0 4.0 0.8 mm) Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC Standard, 61000-4-2, Level4) Outline RENESAS P

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top