Справочник MOSFET. CPH5617

 

CPH5617 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CPH5617
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 65 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 5.9 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.7 Ohm
   Тип корпуса: CPH5
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CPH5617 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:51K  sanyo
cph5617.pdfpdf_icon

CPH5617

Ordering number : EN7370A CPH5617SANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceCPH5617ApplicationsFeatures Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 2.5V drive. Composite type with 2 MOSFETs contained in the one package, improving the mounting efficiency greatly.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25C

 8.1. Size:29K  sanyo
cph5611.pdfpdf_icon

CPH5617

Ordering number : ENN7154CPH5611N-Channel Silicon MOSFETCPH5611Ultrahigh-Speed Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON-resistance. unit : mm Ultrahigh-speed switching. 2168 2.5V drive.[CPH5611] Composite type with 2 MOSFETs contained in a2.90.15single package, facilitaing high-density mounting.5 4 30.051 20.95 0.41 : Drain1 2 :

 9.1. Size:60K  sanyo
cph5606.pdfpdf_icon

CPH5617

Ordering number:ENN*6451N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETsCPH5606Ultrahigh-Speed Switching ApplicationsPreliminaryPackage DimensionsFeatures The CPH5606 incorporates on N-channel MOSFET unit:mmand a P-channel MOSFET that feature low ON2168resistance and high-speed switching, thereby en-[CPH5606]abling high-density mounting.2.90.15 4V drive.5 4 30.05

 9.2. Size:42K  sanyo
cph5604.pdfpdf_icon

CPH5617

Ordering number:ENN6440N-Channel Silicon MOSFETCPH5604Ultrahigh-Speed Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON resistance.unit:mm Ultrahigh-speed switching.2168 4V drive.[CPH5604] Composite type with 2 MOSFETs contained in a2.90.15single package, facilitaing high-density mounting.5 4 30.051 20.95 0.41 : Drain12 : Drain23 : Ga

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: SIX3439K | 5N65KG-TF2-T | SWD7N65DD | SSM3K14T | SWD70N10V | MDU2657RH | STL9N60M2

 

 
Back to Top

 


 
.