CPH5617 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CPH5617  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 5.9 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.7 Ohm

Тип корпуса: CPH5

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CPH5617

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CPH5617 даташит

 ..1. Size:51K  sanyo
cph5617.pdfpdf_icon

CPH5617

Ordering number EN7370A CPH5617 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device CPH5617 Applications Features Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 2.5V drive. Composite type with 2 MOSFETs contained in the one package, improving the mounting efficiency greatly. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C

 8.1. Size:29K  sanyo
cph5611.pdfpdf_icon

CPH5617

Ordering number ENN7154 CPH5611 N-Channel Silicon MOSFET CPH5611 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features Package Dimensions Low ON-resistance. unit mm Ultrahigh-speed switching. 2168 2.5V drive. [CPH5611] Composite type with 2 MOSFETs contained in a 2.9 0.15 single package, facilitaing high-density mounting. 5 4 3 0.05 1 2 0.95 0.4 1 Drain1 2

 9.1. Size:60K  sanyo
cph5606.pdfpdf_icon

CPH5617

Ordering number ENN*6451 N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs CPH5606 Ultrahigh-Speed Switching Applications Preliminary Package Dimensions Features The CPH5606 incorporates on N-channel MOSFET unit mm and a P-channel MOSFET that feature low ON 2168 resistance and high-speed switching, thereby en- [CPH5606] abling high-density mounting. 2.9 0.15 4V drive. 5 4 3 0.05

 9.2. Size:42K  sanyo
cph5604.pdfpdf_icon

CPH5617

Ordering number ENN6440 N-Channel Silicon MOSFET CPH5604 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features Package Dimensions Low ON resistance. unit mm Ultrahigh-speed switching. 2168 4V drive. [CPH5604] Composite type with 2 MOSFETs contained in a 2.9 0.15 single package, facilitaing high-density mounting. 5 4 3 0.05 1 2 0.95 0.4 1 Drain1 2 Drain2 3 Ga

Другие IGBT... BBL4001, BMS3003, BMS3004, BMS4003, BXL4001, CPH3350, CPH3356, CPH3360, 4435, CPH6354, CPH6355, ECH8420, ECH8656, ECH8671, ECH8672, ECH8674, ECH8675