CPH5617 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: CPH5617 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.25 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.15 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 5.9 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.7 Ohm
Тип корпуса: CPH5
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для CPH5617
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
CPH5617 даташит
cph5617.pdf
Ordering number EN7370A CPH5617 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device CPH5617 Applications Features Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 2.5V drive. Composite type with 2 MOSFETs contained in the one package, improving the mounting efficiency greatly. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C
cph5611.pdf
Ordering number ENN7154 CPH5611 N-Channel Silicon MOSFET CPH5611 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features Package Dimensions Low ON-resistance. unit mm Ultrahigh-speed switching. 2168 2.5V drive. [CPH5611] Composite type with 2 MOSFETs contained in a 2.9 0.15 single package, facilitaing high-density mounting. 5 4 3 0.05 1 2 0.95 0.4 1 Drain1 2
cph5606.pdf
Ordering number ENN*6451 N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs CPH5606 Ultrahigh-Speed Switching Applications Preliminary Package Dimensions Features The CPH5606 incorporates on N-channel MOSFET unit mm and a P-channel MOSFET that feature low ON 2168 resistance and high-speed switching, thereby en- [CPH5606] abling high-density mounting. 2.9 0.15 4V drive. 5 4 3 0.05
cph5604.pdf
Ordering number ENN6440 N-Channel Silicon MOSFET CPH5604 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features Package Dimensions Low ON resistance. unit mm Ultrahigh-speed switching. 2168 4V drive. [CPH5604] Composite type with 2 MOSFETs contained in a 2.9 0.15 single package, facilitaing high-density mounting. 5 4 3 0.05 1 2 0.95 0.4 1 Drain1 2 Drain2 3 Ga
Другие IGBT... BBL4001, BMS3003, BMS3004, BMS4003, BXL4001, CPH3350, CPH3356, CPH3360, 4435, CPH6354, CPH6355, ECH8420, ECH8656, ECH8671, ECH8672, ECH8674, ECH8675
History: PTF13N50
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
irf520n datasheet | tip107 | 2n5457 | k3568 | 2sc1344 | cs840f | 2n3053 equivalent | 2n3569









