BUZ901X4S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUZ901X4S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 14 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm

Тип корпуса: SOT227

Аналог (замена) для BUZ901X4S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUZ901X4S даташит

 ..1. Size:35K  magnatec
 buz900x4s buz901x4s.pdf pdf_icon

BUZ901X4S

BUZ900X4S MAGNA BUZ901X4S TEC NEW PRODUCT UNDER DEVELOPMENT MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) N CHANNEL POWER MOSFET 11.8 (0.463) 12.2 (0.480) 31.5 (1.240) 31.7 (1.248) POWER MOSFETS FOR 8.9 (0.350) 7.8 (0.307) 4.1 (0.161 ) 8.2 (0.322) W = 9.6 (0.378) Hex Nut M 4 4.3 (0.169 ) (4 places) AUDIO APPLICATIONS 4.8 (0.187) H = 4.9 (0.193) 1 2 (4 places) R 4.0 (0.

 8.1. Size:45K  magnatec
 buz900dp buz901dp.pdf pdf_icon

BUZ901X4S

BUZ900DP MAGNA BUZ901DP TEC MECHANICAL DATA Dimensions in mm N CHANNEL POWER MOSFET 20.0 5.0 3.3 Dia. POWER MOSFETS FOR AUDIO APPLICATIONS FEATURES 1 2 3 HIGH SPEED SWITCHING 2.0 1.0 N CHANNEL POWER MOSFET 2.0 SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED 3.4 HIGH VOLTAGE (160V & 200V) HIGH ENERGY RATING 0.6 1.2 ENHANCEMENT MODE 2.8 INTEGRAL PROTECTION D

 8.2. Size:63K  magnatec
 buz900 buz901.pdf pdf_icon

BUZ901X4S

BUZ900 www.DataSheet4U.com MAGNA BUZ901 TEC MECHANICAL DATA Dimensions in mm N CHANNEL POWER MOSFET +0.1 25.0 -0.15 8.7 Max. 10.90 0.1 1.50 11.60 POWER MOSFETS FOR Typ. 0.3 AUDIO APPLICATIONS FEATURES 1 2 HIGH SPEED SWITCHING N CHANNEL POWER MOSFET SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED HIGH VOLTAGE (160V & 200V) R 4.0 0.1 R 4.4 0.2 HIGH ENERGY

 8.3. Size:44K  magnatec
 buz900d buz901d.pdf pdf_icon

BUZ901X4S

BUZ900D MAGNA BUZ901D TEC MECHANICAL DATA Dimensions in mm N CHANNEL POWER MOSFET +0.1 25.0 -0.15 8.7 Max. 10.90 0.1 1.50 11.60 POWER MOSFETS FOR Typ. 0.3 AUDIO APPLICATIONS FEATURES 1 2 HIGH SPEED SWITCHING N CHANNEL POWER MOSFET SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED HIGH VOLTAGE (160V & 200V) R 4.0 0.1 R 4.4 0.2 HIGH ENERGY RATING ENHANC

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... BUZ900D, BUZ900DP, BUZ900P, BUZ900X4S, BUZ901, BUZ901D, BUZ901DP, BUZ901P, 5N60, BUZ902, BUZ902D, BUZ902DP, BUZ902P, BUZ903, BUZ903D, BUZ903DP, BUZ903P