R8008ANX Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: R8008ANX
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 50 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 480 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.79 Ohm
Тип корпуса: TO220FM
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
R8008ANX Datasheet (PDF)
r8008anx.pdf

Data Sheet10V Drive Nch MOSFET R8008ANX Structure Dimensions (Unit : mm)TO-220FMSilicon N-channel MOSFET10.0 3.2 4.52.8Features1.21) Low on-resistance.1.32) Low input capacitance.0.83) High ESD. (1) Gate(2) Drain2.54 2.54 0.75 2.6(1) (2) (3)(3) Source ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage BulkType
r8008anx.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor R8008ANXFEATURESDrain Current I = 8A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =800V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 1.03(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpos
r8008anj.pdf

R8008ANJDatasheetNch 800V 8A Power MOSFETlOutlinel TO-263SVDSS 800V SC-83RDS(on)(Max.) 1.03 LPT(S)ID 8APD 195W lInner circuitllFeaturesl1) Low on-resistance.2) Fast switching speed.3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteedto be 30V.4) Drive circuits can be simple.5) Parallel use is easy.6) Pb-
r8008anj.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor R8008ANJFEATURESDrain Current I = 8A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =800V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 1.03(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpos
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: ZXMN0545G4 | SE4060 | IPA600N25NM3S
History: ZXMN0545G4 | SE4060 | IPA600N25NM3S



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
irfb4321 | 2n333 | c3852 | irfp140 | ksc2383 datasheet | 2n3906 equivalent | a733 transistor equivalent | 2n5401 transistor datasheet