Справочник MOSFET. R8008ANX

 

R8008ANX MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: R8008ANX
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 39 nC
   trⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 480 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.79 Ohm
   Тип корпуса: TO220FM

 Аналог (замена) для R8008ANX

 

 

R8008ANX Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1169K  rohm
 r8008anx.pdf

R8008ANX R8008ANX

Data Sheet10V Drive Nch MOSFET R8008ANX Structure Dimensions (Unit : mm)TO-220FMSilicon N-channel MOSFET10.0 3.2 4.52.8Features1.21) Low on-resistance.1.32) Low input capacitance.0.83) High ESD. (1) Gate(2) Drain2.54 2.54 0.75 2.6(1) (2) (3)(3) Source ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage BulkType

 ..2. Size:252K  inchange semiconductor
 r8008anx.pdf

R8008ANX R8008ANX

isc N-Channel MOSFET Transistor R8008ANXFEATURESDrain Current I = 8A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =800V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 1.03(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpos

 7.1. Size:1750K  rohm
 r8008anj.pdf

R8008ANX R8008ANX

R8008ANJDatasheetNch 800V 8A Power MOSFETlOutlinel TO-263SVDSS 800V SC-83RDS(on)(Max.) 1.03 LPT(S)ID 8APD 195W lInner circuitllFeaturesl1) Low on-resistance.2) Fast switching speed.3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteedto be 30V.4) Drive circuits can be simple.5) Parallel use is easy.6) Pb-

 7.2. Size:255K  inchange semiconductor
 r8008anj.pdf

R8008ANX R8008ANX

isc N-Channel MOSFET Transistor R8008ANJFEATURESDrain Current I = 8A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =800V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 1.03(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpos

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SIHFBE30S | SIHFI630G

 

 
Back to Top