RCX120N20. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RCX120N20

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 57 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm

Тип корпуса: TO220FM

Аналог (замена) для RCX120N20

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RCX120N20 даташит

 ..1. Size:1180K  rohm
 rcx120n20.pdf pdf_icon

RCX120N20

Data Sheet 10V Drive Nch MOSFET RCX120N20 Structure Dimensions (Unit mm) TO-220FM Silicon N-channel MOSFET 10.0 3.2 4.5 2.8 Features 1.2 1) Low on-resistance. 1.3 2) Low input capacitance. 0.8 3) High ESD. 2.54 2.54 0.75 2.6 (1) (2) (3) Application Switching Packaging specifications Inner circuit Package Bulk Type Code - 1 Basic ordering un

 ..2. Size:252K  inchange semiconductor
 rcx120n20.pdf pdf_icon

RCX120N20

isc N-Channel MOSFET Transistor RCX120N20 FEATURES Drain Current I = 12A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =200V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 325m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purp

 6.1. Size:1169K  rohm
 rcx120n25.pdf pdf_icon

RCX120N20

Data Sheet 10V Drive Nch MOSFET RCX120N25 Structure Dimensions (Unit mm) TO-220FM Silicon N-channel MOSFET 10.0 3.2 4.5 2.8 1.2 Features 1.3 1) Low on-resistance. 0.8 2) High speed switching. 2.54 2.54 0.75 2.6 3) Gate-source voltage VGSS garanteed to be 30V (1) (2) (3) 4) High Power Package (TO-220FM). Application Inner circuit Switching 1

 6.2. Size:251K  inchange semiconductor
 rcx120n25.pdf pdf_icon

RCX120N20

isc N-Channel MOSFET Transistor RCX120N25 FEATURES Drain Current I = 12A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =250V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 235m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purp

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RCD075N20, RCD080N25, RCD100N20, RCJ330N25, RCJ450N20, RCX050N25, RCX080N20, RCX080N25, AO3407, RCX120N25, RCX160N20, RCX330N25, RCX450N20, RHK005N03, RHP020N06, RHP030N03, RJK005N03