RQ1A070AP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RQ1A070AP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 135 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 900 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: TSMT8

Аналог (замена) для RQ1A070AP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RQ1A070AP даташит

 ..1. Size:1197K  rohm
rq1a070ap.pdfpdf_icon

RQ1A070AP

Data Sheet 1.5V Drive Pch MOSFET RQ1A070AP Structure Dimensions (Unit mm) TSMT8 Silicon P-channel MOSFET (8) (7) (6) (5) Features 1) Low on-resistance. (1) (2) (3) (4) 2) Low voltage drive (1.5V drive). 3) Small surface mount package (TSMT8). Abbreviated symbol SG Application Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping (8) (7) (6) (

 7.1. Size:226K  rohm
rq1a070zptr.pdfpdf_icon

RQ1A070AP

1.5V Drive Pch MOSFET RQ1A070ZP Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET TSMT8 (8) (7) (6) (5) Features 1) Low On-resistance. 2) Low voltage drive. (1.5 V) 3) High power package. (1) (2) (3) (4) Applications Each lead has same dimensions Abbreviated symbol YJ Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping (8) (7) (6) (5) Type C

 7.2. Size:227K  rohm
rq1a070zp.pdfpdf_icon

RQ1A070AP

1.5V Drive Pch MOSFET RQ1A070ZP Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET TSMT8 (8) (7) (6) (5) Features 1) Low On-resistance. 2) Low voltage drive. (1.5 V) 3) High power package. (1) (2) (3) (4) Applications Each lead has same dimensions Abbreviated symbol YJ Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping (8) (7) (6) (5) Type C

 9.1. Size:650K  rohm
rq1a060zptr.pdfpdf_icon

RQ1A070AP

RQ1A060ZP Pch -12V -6A Power MOSFET Datasheet lOutline (8) VDSS (7) -12V TSMT8 (6) (5) RDS(on) (Max.) 23mW (1) ID -6A (2) (3) PD 1.5W (4) lFeatures lInner circuit 1) Low on - resistance. (1) Source (5) Drain 2) -1.5V Drive. (2) Source (6) Drain (3) Source (7) Drain 3) Built-in G-S Protection Diode. (4) Gate (8) Drain *1 ESD PROTECTION DIODE 4) Small S

Другие IGBT... RP1E090XN, RP1E100RP, RP1E100XN, RP1E125XN, RP1H065SP, RP1L055SN, RP1L080SN, RQ1A060ZP, AO4407A, RQ1A070ZP, RQ1C065UN, RQ1C075UN, RQ1E050RP, RQ1E070RP, RQ1E075XN, RQ1E100XN, RRF015P03