RQ1A070AP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: RQ1A070AP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 135 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 900 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
Тип корпуса: TSMT8
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
RQ1A070AP Datasheet (PDF)
rq1a070ap.pdf

Data Sheet1.5V Drive Pch MOSFETRQ1A070AP Structure Dimensions (Unit : mm)TSMT8Silicon P-channel MOSFET(8) (7) (6) (5)Features1) Low on-resistance.(1) (2) (3) (4)2) Low voltage drive (1.5V drive).3) Small surface mount package (TSMT8).Abbreviated symbol : SG ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping (8) (7) (6) (
rq1a070zptr.pdf

1.5V Drive Pch MOSFET RQ1A070ZP Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET TSMT8(8) (7) (6) (5) Features 1) Low On-resistance. 2) Low voltage drive. (1.5 V) 3) High power package. (1) (2) (3) (4) Applications Each lead has same dimensionsAbbreviated symbol : YJSwitching Packaging specifications Inner circuit Package Taping (8) (7) (6) (5)Type C
rq1a070zp.pdf

1.5V Drive Pch MOSFET RQ1A070ZP Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET TSMT8(8) (7) (6) (5) Features 1) Low On-resistance. 2) Low voltage drive. (1.5 V) 3) High power package. (1) (2) (3) (4) Applications Each lead has same dimensionsAbbreviated symbol : YJSwitching Packaging specifications Inner circuit Package Taping (8) (7) (6) (5)Type C
rq1a060zptr.pdf

RQ1A060ZP Pch -12V -6A Power MOSFET DatasheetlOutline(8) VDSS(7) -12V TSMT8(6) (5) RDS(on) (Max.)23mW(1) ID-6A(2) (3) PD1.5W(4) lFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Source (5) Drain 2) -1.5V Drive.(2) Source (6) Drain (3) Source (7) Drain 3) Built-in G-S Protection Diode.(4) Gate (8) Drain *1 ESD PROTECTION DIODE 4) Small S
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: AO4803A | STP5NK60Z



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
irfz44n equivalent | 2n2923 | 2n2102 | mj15003g | oc75 transistor | irfp260m | 2sc1213 | a1491 transistor