RQ1A070AP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: RQ1A070AP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 80 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 135 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 900 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
Тип корпуса: TSMT8
Аналог (замена) для RQ1A070AP
RQ1A070AP Datasheet (PDF)
rq1a070ap.pdf

Data Sheet1.5V Drive Pch MOSFETRQ1A070AP Structure Dimensions (Unit : mm)TSMT8Silicon P-channel MOSFET(8) (7) (6) (5)Features1) Low on-resistance.(1) (2) (3) (4)2) Low voltage drive (1.5V drive).3) Small surface mount package (TSMT8).Abbreviated symbol : SG ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping (8) (7) (6) (
rq1a070zptr.pdf

1.5V Drive Pch MOSFET RQ1A070ZP Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET TSMT8(8) (7) (6) (5) Features 1) Low On-resistance. 2) Low voltage drive. (1.5 V) 3) High power package. (1) (2) (3) (4) Applications Each lead has same dimensionsAbbreviated symbol : YJSwitching Packaging specifications Inner circuit Package Taping (8) (7) (6) (5)Type C
rq1a070zp.pdf

1.5V Drive Pch MOSFET RQ1A070ZP Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET TSMT8(8) (7) (6) (5) Features 1) Low On-resistance. 2) Low voltage drive. (1.5 V) 3) High power package. (1) (2) (3) (4) Applications Each lead has same dimensionsAbbreviated symbol : YJSwitching Packaging specifications Inner circuit Package Taping (8) (7) (6) (5)Type C
rq1a060zptr.pdf

RQ1A060ZP Pch -12V -6A Power MOSFET DatasheetlOutline(8) VDSS(7) -12V TSMT8(6) (5) RDS(on) (Max.)23mW(1) ID-6A(2) (3) PD1.5W(4) lFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Source (5) Drain 2) -1.5V Drive.(2) Source (6) Drain (3) Source (7) Drain 3) Built-in G-S Protection Diode.(4) Gate (8) Drain *1 ESD PROTECTION DIODE 4) Small S
Другие MOSFET... RP1E090XN , RP1E100RP , RP1E100XN , RP1E125XN , RP1H065SP , RP1L055SN , RP1L080SN , RQ1A060ZP , AO3407 , RQ1A070ZP , RQ1C065UN , RQ1C075UN , RQ1E050RP , RQ1E070RP , RQ1E075XN , RQ1E100XN , RRF015P03 .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
irfz44n equivalent | 2n2923 | 2n2102 | mj15003g | oc75 transistor | irfp260m | 2sc1213 | a1491 transistor