Справочник MOSFET. RSD140P06

 

RSD140P06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RSD140P06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: CPT3 SC63 SOT428
 

 Аналог (замена) для RSD140P06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RSD140P06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1213K  rohm
 rsd140p06.pdf pdf_icon

RSD140P06

Data Sheet4V Drive Pch MOSFET RSD140P06Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETCPT3 (SC-63) Features1) Low on-resistance.2) Fast switching speed. 3) Drive circuits can be simple. 9 4) Parallel use is easy. ApplicationSwitching Packaging specifications Inner cir

 0.1. Size:1413K  rohm
 rsd140p06fra.pdf pdf_icon

RSD140P06

Data SheetAEC-Q101 Qualified4V Drive Pch MOSFET RSD140P06RSD140P06FRAStructure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETCPT3 (SC-63) Features1) Low on-resistance.2) Fast switching speed. 3) Drive circuits can be simple. 9 4) Parallel use is easy. ApplicationSwitching Pack

Другие MOSFET... RRR030P03 , RRR040P03 , RSC002P03 , RSD050N06 , RSD050N10 , RSD080N06 , RSD080P05 , RSD100N10 , IRFB4115 , RSD150N06 , RSD160P05 , RSD175N10 , RSD200N05 , RSD200N10 , RSE002N06 , RSE002P03 , RSF010P05 .

History: CEP85N75 | SSM6P36FE | 2SK2826 | HM60N03D | FTK2102 | IPA032N06N3G

 

 
Back to Top

 


 
.