RSD140P06. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RSD140P06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: CPT3 SC63 SOT428

Аналог (замена) для RSD140P06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RSD140P06 даташит

 ..1. Size:1213K  rohm
 rsd140p06.pdf pdf_icon

RSD140P06

Data Sheet 4V Drive Pch MOSFET RSD140P06 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET CPT3 (SC-63) Features 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 3) Drive circuits can be simple. 9 4) Parallel use is easy. Application Switching Packaging specifications Inner cir

 0.1. Size:1413K  rohm
 rsd140p06fra.pdf pdf_icon

RSD140P06

Data Sheet AEC-Q101 Qualified 4V Drive Pch MOSFET RSD140P06 RSD140P06FRA Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET CPT3 (SC-63) Features 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 3) Drive circuits can be simple. 9 4) Parallel use is easy. Application Switching Pack

Другие IGBT... RRR030P03, RRR040P03, RSC002P03, RSD050N06, RSD050N10, RSD080N06, RSD080P05, RSD100N10, P55NF06, RSD150N06, RSD160P05, RSD175N10, RSD200N05, RSD200N10, RSE002N06, RSE002P03, RSF010P05