RSM002P03. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RSM002P03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 4 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm

Тип корпуса: VMT3

Аналог (замена) для RSM002P03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RSM002P03 даташит

 ..1. Size:64K  rohm
 rsm002p03.pdf pdf_icon

RSM002P03

RSM002P03 Transistors 4V Drive Pch MOSFET RSM002P03 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET VMT3 1.2 0.32 Features (3) 1) Low On-resistance. 2) Small package (VMT3). (1)(2) 0.22 0.13 0.4 0.4 3) 4V drive. 0.5 0.8 (1)Gate (2)Source (3)Drain Abbreviated symbol WP Applications Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping

 0.1. Size:62K  rohm
 rsm002p03t2l.pdf pdf_icon

RSM002P03

RSM002P03 Transistors 4V Drive Pch MOSFET RSM002P03 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET VMT3 1.2 0.32 Features (3) 1) Low On-resistance. 2) Small package (VMT3). (1)(2) 0.22 0.13 0.4 0.4 3) 4V drive. 0.5 0.8 (1)Gate (2)Source (3)Drain Abbreviated symbol WP Applications Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping

 8.1. Size:171K  rohm
 rsm002n06.pdf pdf_icon

RSM002P03

Другие IGBT... RSJ10HN06, RSJ250P10, RSJ300N10, RSJ400N06, RSJ450N04, RSJ550N10, RSJ650N10, RSM002N06, 12N60, RSQ015N06, RSQ015P10, RSQ020N03, RSQ045N03, RSR010N10, RSR020N06, RSR025N03, RSR025N05