RTQ035N03. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: RTQ035N03
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm
Тип корпуса: TSMT6
Аналог (замена) для RTQ035N03
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
RTQ035N03 даташит
rtq035n03.pdf
RTQ035N03 Transistors 2.5V Drive Nch MOS FET RTQ035N03 Structure External dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOS FET TSMT6 1.0MAX 2.9 0.85 1.9 Features 0.95 0.95 0.7 (6) (5) (4) 1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TSMT6). 0 0.1 3) Low voltage drive (2.5V drive). (1) (2) (3) 1pin mark 0.16 0.4 Each lead has same dimensions
rtq035n03tr.pdf
RTQ035N03 Transistors 2.5V Drive Nch MOS FET RTQ035N03 Structure External dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOS FET TSMT6 1.0MAX 2.9 0.85 1.9 Features 0.95 0.95 0.7 (6) (5) (4) 1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TSMT6). 0 0.1 3) Low voltage drive (2.5V drive). (1) (2) (3) 1pin mark 0.16 0.4 Each lead has same dimensions
rtq035n03fra.pdf
RTQ035N03FRA RTQ035N03 Transistors AEC-Q101 Qualified 2.5V Drive Nch MOS FET RTQ035N03FRA RTQ035N03 Structure External dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOS FET TSMT6 1.0MAX 2.9 0.85 1.9 Features 0.95 0.95 0.7 (6) (5) (4) 1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TSMT6). 0 0.1 3) Low voltage drive (2.5V drive). (1) (2) (3) 1pin mark
rtq035p02fha.pdf
RTQ035P02FHA RTQ035P02 Transistor AEC-Q101 Qualified 2.5V Drive Pch MOS FET RTQ035P02FHA RTQ035P02 External dimensions (Unit mm) Structure Silicon P-channel MOSFET TSMT6 1.0MAX 2.9 0.85 1.9 Features 0.95 0.95 0.7 (6) (5) (4) 1) Low On-resistance.(80m at 2.5V) 2) High Power Package. 0 0.1 (1) (2) (3) 3) High speed switching. 1pin mark 4) Low voltage drive.(2.5
Другие MOSFET... RT1E050RP , RT1E060XN , RTF015N03 , RTF016N05 , RTF025N03 , RTL035N03 , RTQ020N03 , RTQ020N05 , IRF520 , RTQ045N03 , RTR020N05 , RTR025N03 , RTR025N05 , RTR030N05 , RTR040N03 , RU1C002UN , RU1C002ZP .
History: IXFP90N20X3 | JMSH0602PG
History: IXFP90N20X3 | JMSH0602PG
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
bc108 equivalent | irfp4568 | mj15004 | ksc2073 | nte102a | tip31cg | s9015 transistor | irf540z





