RUE002N05 - описание и поиск аналогов

 

RUE002N05. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RUE002N05

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 6 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm

Тип корпуса: EMT3 SC75A SOT416

Аналог (замена) для RUE002N05

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RUE002N05 даташит

 ..1. Size:176K  rohm
 rue002n05.pdf pdf_icon

RUE002N05

1.2V Drive Nch MOSFET RUE002N05 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET EMT3 (SC-75A) Features 1) High speed switing. 2) Small package(EMT3). 3)Ultra low voltage drive(1.2V drive). Abbreviated symbol RH Application Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping (3) Type Code TL Basic ordering unit (pieces)

 6.1. Size:216K  rohm
 rue002n02.pdf pdf_icon

RUE002N05

1.2V Drive Nch MOSFET RUE002N02 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel EMT3 MOSFET Applications Switching (1)Source Features (2)Gate (3)Drain Abbreviated symbol QR 1) Fast switching speed. 2) Low voltage drive (1.2V) makes this device ideal for portable equipment. 3) Drive circuits can be simple. Inner circuit (3) Packaging specifications Packa

 6.2. Size:215K  ruichips
 rue002n02tl.pdf pdf_icon

RUE002N05

1.2V Drive Nch MOSFET RUE002N02 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel EMT3 MOSFET Applications Switching (1)Source Features (2)Gate (3)Drain Abbreviated symbol QR 1) Fast switching speed. 2) Low voltage drive (1.2V) makes this device ideal for portable equipment. 3) Drive circuits can be simple. Inner circuit (3) Packaging specifications Packa

 9.1. Size:934K  rohm
 rue003n02.pdf pdf_icon

RUE002N05

1.8V Drive Nch MOSFET RUE003N02 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel EMT3 MOSFET Features 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 3) Low voltage drive (1.8V) makes this device ideal for portable equipment. (1)Source 4) Drive circuits can be simple. (2)Gate (3)Drain Abbreviated symbol QT 5) Parallel use is easy. Applications Switch

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... RTR030N05 , RTR040N03 , RU1C002UN , RU1C002ZP , RU1E002SP , RU1L002SN , RUC002N05 , RUE002N02 , IRFZ48N , RUF015N02 , RUF020N02 , RUF025N02 , RUL035N02 , RUM002N02 , RUM002N05 , RUQ050N02 , RUR020N02 .

History: CMP40P03 | 2SK1029 | SUN0260D | AP10TN008CMT | SM104

 

 

 

 

↑ Back to Top
.